[发明专利]一种光伏硅片扩散后蓝黑点的去除方法

说明书

本发明公开了一种光伏硅片扩散后蓝黑点的去除方法，先将扩散后的有蓝黑点的硅片或镀膜后有白点的需要返工的硅片先用氢氟酸去除表面的扩散的氧化层或镀膜的氮化硅层，再将去除干净的硅片浸泡在双氧水、氢氟酸和和水的混合液中浸泡一段时间，双氧水会氧化硅片表面形成氧化硅，氧化硅再与氢氟酸反应，反应会去除硅片表面很薄的一层硅，可以将烧焦点去除干净且不破坏绒面。再经过氢氟酸清洗、水洗和烘干后进行扩散、刻蚀、镀膜和印刷烧结，制成电池片。基于本发明的方法，不影响第一次的制绒效果，不会造成绒面不良；且硅片厚度基本没有变化，不会增加碎片率。

技术领域

本发明属于太阳能清洗工艺技术领域，涉及一种新的光伏硅片扩散后蓝黑点的去除方法。

背景技术

光伏硅片经过制绒和扩散后出现的蓝黑色的污点烧焦，在经过刻蚀和镀膜工序后会产生白色的斑点造成返工和降级，目前通常的做法是重新制绒，但重新制绒不当会造成外观不良，片子变薄容易碎片的情况。

发明内容

本发明主要目的在于克服上述的现有方法的造成外观不良和硅片变薄的缺点，提供一种简单的去除扩散后的蓝黑色的污点烧焦的方法。

本发明的上述目的是通过以下技术措施来实施来实现的：

一种光伏硅片扩散后蓝黑点的去除方法，光伏硅片经扩散散后有蓝黑点，进一步判断该蓝黑点是否已经刻蚀和镀膜工序变成白点；

若扩散后有蓝黑点，对此类光伏硅片进行如下处理：

s101、返工片准备；

s102、去除扩散后的氧化层：采用槽式制绒机，在第一个氢氟酸槽配置5％～8％摩尔浓度的氢氟酸溶液，返工片浸泡5分钟以上；

s103、去除蓝黑点：在第二个氢氟酸槽中配置氢氟酸与双氧水混合溶液，其中：氢氟酸的摩尔浓度为15％～20％，双氧水的摩尔浓度为10％～12％；将步骤s102处理后的返工片在该混合溶液中浸泡15分钟以上；本步骤通过硅片和双氧水反应生成氧化硅，氢氟酸将生成的氧化硅清洗干净；

s104、将步骤s103处理后的返工片放入第一个氢氟酸槽中浸泡3分钟以上，本步骤去除表面的氧化层；

s105、水洗和烘干后得到干净的光伏硅片；

若镀膜后产生白点，对此类光伏硅片进行如下处理：

s201、返工片准备；

s202、去除镀膜后的氮化硅层：采用槽式制绒机，在第一个氢氟酸槽配置15％～20％摩尔浓度的氢氟酸溶液，浸泡20分钟以上，本步骤去除氮化硅膜，显现出扩散后的蓝黑点；

s203、去除蓝黑点：在第二个氢氟酸槽中配置氢氟酸与双氧水混合溶液，其中：氢氟酸的摩尔浓度为15％～20％，双氧水的摩尔浓度为10％～12％；将步骤s202处理后的返工片在该混合溶液中浸泡15分钟以上；本步骤通过硅片和双氧水反应生成氧化硅，氢氟酸将生成的氧化硅清洗干净；

s204、将步骤s203处理后的返工片放入第一个氢氟酸槽中浸泡3分钟以上，本步骤去除表面的氧化层；

s205、水洗和烘干后得到干净的光伏硅片。

优选的，步骤s102中：第一个氢氟酸槽中氢氟酸的摩尔浓度为5％，步骤s102的返工片浸泡时间为5分钟。

优选的，步骤s103中：第二个氢氟酸槽中氢氟酸的摩尔浓度为15％，双氧水的摩尔浓度为10％，步骤s103的返工片浸泡时间为15分钟。

优选的，步骤s104的返工片浸泡时间为3分钟。

优选的，步骤s202中：第一个氢氟酸槽中氢氟酸的摩尔浓度为15％，步骤s202的返工片浸泡时间为20分钟。