[发明专利]一种半透明的薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种半透明的薄膜太阳能电池，依次设置的透明衬底、透明导电膜、半导体层和背接触电极层；其特征在于，所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层；所述背接触电极层包括金属背接触电极；其中，所述金属背接触电极为金背接触电极、铜背接触电极和铜金合金背接触电极中一种或多种，所述半导体层与所述透明导电膜之间和/或所述半导体层与所述背接触电极之间复合有缓冲层；所述半导体层经渗透方式退火处理后表面复合有盐层，所述盐层为NH₄Cl和ZnCl₂混合层、CuCl₂层或CdCl₂层。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述N型半导体层为CdS层，所述P型半导体层为CdTe层、ZnTe层和CdZnTe层中一种或多种。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述P型半导体层厚度＜750nm。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述背接触电极层由金背接触电极和铜背接触电极组成。

5.一种半透明的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

1)在透明衬底上沉积透明导电膜，得到第一预制件；

2)在所述透明导电膜上沉积半导体层，得到第二预制件，所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层；

3)将所述第二预制件经盐溶液渗透方式退火处理后，所述半导体层表面复合盐层，所述盐层为NH₄Cl和ZnCl₂混合层、CuCl₂层或CdCl₂层；所述盐层上沉积背接触电极层，得到第三预制件；所述第三预制件为光电二极管，所述背接触电极层包括金属背接触电极，所述金属背接触电极为金背接触电极、铜背接触电极和铜金合金背接触电极中一种或多种；

4)将所述步骤3)得到的所述第三预制件经热处理，得到所述半透明的薄膜太阳能电池；

所述方法还包括复合缓冲层于所述半导体层与所述透明导电膜之间和/或所述半导体层与所述背接触电极之间。

6.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用水浴法沉积所述N型半导体层，采用电镀法或磁控溅射方法沉积所述P型半导体层。

7.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法还包括所述透明导电膜、所述半导体层和所述背接触电极层均进行激光刻蚀处理，使所述薄膜太阳能电池内部串联。