[发明专利]一种硅晶圆的正面激光内切割方法

说明书

本发明提供了一种硅晶圆的正面激光内切割方法，所述方法包括：将蓝膜贴在所述硅晶圆背面；将所述硅晶圆正面沟道作为定位基准，对所述硅晶圆进行定位划线；根据所述硅晶圆厚度设置所述激光的内切割焦点位置，利用所述激光沿所述定位划线对所述硅晶圆进行切割，使得所述硅晶圆内部形成N个爆裂点；根据所述N个爆裂点将所述硅晶圆分离成单一的芯片晶粒；如此，利用激光在所述硅晶圆的正面进行切割，无需在背面制作切割定位线，减少了制作工序及操作时间；并且采用激光内切割方法对硅晶圆进行切割，避免了崩边过大的问题，提高了芯片的收益率。

技术领域

本发明属于激光应用技术领域，尤其涉及一种硅晶圆的正面激光内切割方法。

背景技术

硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。集成电路(IC)是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法，将众多电子电路组成各式二极管、晶体管等电子组件，做在一个微小面积上，以完成某一特定逻辑功能，达成预先设定好的电路功能要求的电路系统。

晶圆便是硅元素加以纯化，接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆，然后对晶圆进行切割形成一个个的晶粒。

现有技术中，在对晶圆进行切割时，切割工序复杂，耗费大量的加工时间；且崩边过大导致芯片收益率降低。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明实施例提供了一种硅晶圆的正面激光内切割方法，用于解决现有技术中对硅晶圆进行切割时，切割工序复杂且芯片收益率低的技术问题。

本发明的提供一种硅晶圆的正面激光内切割方法，所述方法包括：

将蓝膜贴在所述硅晶圆背面；

将所述硅晶圆正面沟道作为定位基准，对所述硅晶圆进行定位划线；

根据所述硅晶圆厚度设置所述激光的内切割焦点位置，利用所述激光沿所述定位划线对所述硅晶圆进行切割，使得所述硅晶圆内部形成N个爆裂点；

根据所述N个爆裂点将所述硅晶圆分离成单一的芯片晶粒。

上述方案中，所述激光为：近红外激光、绿色激光或紫外激光。

上述方案中，所述激光的脉冲宽度为：纳秒级、皮秒级或飞秒级。

上述方案中，所述内切割焦点位于所述硅晶圆厚度的40％-60％位置处。

上述方案中，所述爆裂点的纵向长度为所述硅晶圆厚度的10％-20％。

上述方案中，所述激光的切割线宽小于10μm。

上述方案中，所述近红外激光的波长为1064nm或1030nm。

上述方案中，所述绿色激光的波长为532nm或515nm。

上述方案中，紫外激光的波长为355nm或343nm或266nm。

上述方案中，所述硅晶圆的厚度为50-200μm。

本发明提供了一种硅晶圆的正面激光内切割方法，所述方法包括：将蓝膜贴在所述硅晶圆背面；将所述硅晶圆正面沟道作为定位基准，对所述硅晶圆进行定位划线；根据所述硅晶圆厚度设置所述激光的内切割焦点位置，利用所述激光沿所述定位划线对所述硅晶圆进行切割，使得所述硅晶圆内部形成N个爆裂点；根据所述N个爆裂点将所述硅晶圆分离成单一的芯片晶粒；如此，利用激光在所述硅晶圆的正面进行切割，无需在背面制作切割定位线，减少了制作工序及操作时间；并且采用激光内切割方法对硅晶圆进行切割，避免了崩边过大的问题，提高了芯片的收益率。

附图说明