[发明专利]具有高极化隔离度的双极化阵列天线

权利要求书

1.一种具有高极化隔离度的双极化阵列天线，其特征在于：包括两辐射贴片(1)、设置于两辐射贴片之间的π形互耦抑制结构(2)、寄生耦合的地板(4)和接地容性加载环(5)，所述接地容性加载环(5)垂直的设置于寄生耦合的地板(4)上，所述π形互耦抑制结构(2)与接地容性加载环(5)相互垂直设置；

该阵列天线还包括由上至下设置的上层介质基板、多层印刷电路板(7)和下层金属载板，所述上层介质基板和多层印刷电路板间形成空气层(3)，接地容性加载环(5)位于空气层(3)内；两辐射贴片(1)设置于上层介质基板上，π形互耦抑制结构(2)垂直的设置于上层介质基板上；所述寄生耦合的地板(4)设置于多层印刷电路板的上层介质板上表面，寄生耦合的地板通过金属柱与多层印刷电路板的下层地板连接，下层地板位于多层印刷电路板的下层介质板的下表面；接地容性加载环(5)垂直的设置于寄生耦合的地板(4)上；所述寄生耦合的地板上还设置有位于接地容性加载环(5)两侧的沟槽结构。

2.根据权利要求1所述的具有高极化隔离度的双极化阵列天线，其特征在于：所述π形互耦抑制结构(2)包括多个平行设置的π形互耦抑制单元，所述接地容性加载环(5)包括多个平行设置的接地容性加载环单元，所述π形互耦抑制单元与接地容性加载环单元垂直放置。

3.根据权利要求2所述的具有高极化隔离度的双极化阵列天线，其特征在于：所述π形互耦抑制单元包括第一介质基板(21)和对称设置于第一介质基板两侧的第一枝节与第二枝节，所述第一枝节包括沿第一介质基板上边缘设置的枝节I(22)、垂直于枝节I且由枝节I向第一介质基板下边缘延伸的枝节II(23)、垂直于枝节II且由枝节II向第一介质基板左边缘延伸的枝节III(24)、垂直于枝节I且由枝节I向第一介质基板上边缘延伸的枝节IV(25)和垂直于枝节IV且由枝节IV向第一介质基板右边缘延伸的枝节V(26)。

4.根据权利要求3所述的具有高极化隔离度的双极化阵列天线，其特征在于：所述枝节II(23)与所述枝节IV(25)关于第一枝节的纵向中轴线对称，所述枝节III(24)与枝节V(26)关于第一枝节的纵向中轴线对称。

5.根据权利要求3所述的具有高极化隔离度的双极化阵列天线，其特征在于：所述接地容性加载环单元包括第二介质基板(51)和设置于第二介质基板上的第三枝节，所述第三枝节的左侧中部设置有裂口(52)，所述第三枝节的上侧中部向下弯折形成第一弯折部(53)，所述第三枝节的下侧中部向上弯折形成第二弯折部(54)，所述第一弯折部与第二弯折部之间具有一定间隙；所述裂口的上端向右水平延伸形成枝节A(55)，所述裂口的下端向右水平延伸形成枝节B(56)。

6.根据权利要求5所述的具有高极化隔离度的双极化阵列天线，其特征在于：所述裂口的宽度大于第一弯折部(53)与第二弯折部(54)之间的距离。

7.根据权利要求5所述的具有高极化隔离度的双极化阵列天线，其特征在于：所述第一介质基板具有延伸部，所述延伸部由第一介质基板向下延伸至空气层；所述延伸部上设置有多个用于接合第二介质基板的第一沟槽(27)，所述第一沟槽由延伸部下边缘向上边缘延伸。

8.根据权利要求7所述的具有高极化隔离度的双极化阵列天线，其特征在于：所述第二介质基板上设置有第二沟槽，所述第二沟槽由第二介质基板的上边沿向中间延伸。

9.根据权利要求1所述的具有高极化隔离度的双极化阵列天线，其特征在于：所述多层印刷电路板上层介质板与下层介质板通过半固化片粘结组合而成；上下两介质板之间设置有微带馈线(6)，所述微带馈线通过穿过下层金属载板的SMP连接器内芯进行馈电。