[发明专利]制备钕铁硼磁体的低温烧结方法在审
申请号: | 201611236352.2 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106623916A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 张英伟 | 申请(专利权)人: | 京磁新材料有限公司 |
主分类号: | B22F3/10 | 分类号: | B22F3/10;H01F41/02 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 300000 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 钕铁硼 磁体 低温 烧结 方法 | ||
1.一种制备钕铁硼磁体的低温烧结方法,其特征在于,包括:
在钕铁硼生坯加热脱气完成后,进行烧结之前,将钕铁硼生坯温度升至高出烧结目标温度5-15℃,并保温1-2h。
2.如权利要求1所述的制备钕铁硼磁体的低温烧结方法,其特征在于,所述烧结的具体步骤为:将钕铁硼生坯温度降至烧结目标温度后,保温5-7h;所述烧结目标温度为1000-1100℃。
3.如权利要求1所述的制备钕铁硼磁体的低温烧结方法,其特征在于,所述加热脱气的具体步骤为:将所述钕铁硼生坯升温到200℃-300℃,进行保温1-3h;然后升温到500℃-700℃,进行保温1-3h;最后升温到800℃-900℃,进行保温3-4h。
4.如权利要求1所述的制备钕铁硼磁体的低温烧结方法,其特征在于,还包括:所述钕铁硼生坯放入烧结炉中进行加热脱气之前,需先将烧结炉抽真空,使得烧结炉内中真空度达到0.5-1Pa。
5.如权利要求1所述的制备钕铁硼磁体的低温烧结方法,其特征在于,还包括:所述钕铁硼生坯在保护气体条件下,整齐码放在干燥的石墨料舟中,所述烧结炉用惰性气体或氮气充满炉膛空间,使炉内压力为0.07-0.09MPa之后,将装有钕铁硼生坯的石墨料舟放入炉膛中。
6.如权利要求2所述的制备钕铁硼磁体的低温烧结方法,其特征在于,还包括:冷却处理:待烧结结束后,向炉内充入0.07-0.09MPa的氮气或氩气进行冷却。
7.如权利要求6所述的制备钕铁硼磁体的低温烧结方法,其特征在于,还包括:在冷却后,进行回火处理,具体为:在850-950℃下进行一级回火,保温时间为4-5h,在450-600℃下进行二级回火,保温时间为4-5h,得到钕铁硼磁体。
8.如权利要求1所述的制备钕铁硼磁体的低温烧结方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将钕铁硼生坯在保护气体条件下,整齐码放在干燥的石墨料舟中,所述烧结炉用惰性气体或氮气充满炉膛空间,使炉内压力为0.07-0.09MPa之后,将装有钕铁硼生坯的石墨料舟放入炉膛中;
2)将烧结炉抽真空,使得烧结炉内中真空度达到0.5-1Pa;
3)启动加热程序进行加热,将所述钕铁硼生坯升温到200℃-300℃,进行保温1-3h;然后升温到500℃-700℃,进行保温1-3h;最后升温到800℃-900℃,进行保温3-4h;
4)继续升温至升至高出烧结目标温度5-15℃,并保温1-2h;
5)将钕铁硼生坯温度降至烧结目标温度后,保温5-7h;所述烧结目标温度为1000-1100℃;
6)烧结结束后,向炉内充入0.07-0.09MPa的氮气或氩气进行冷却;
7)在冷却后,进行回火处理,具体为:在850-950℃下进行一级回火,并保温4-5h,在450-600℃下进行二级回火,保温时间为4-5h,得到钕铁硼磁体。
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