[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611237175.X | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108258042A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李力恒;陈佑昇 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凹沟 半导体结构 外延层 侧壁 高电子迁移率晶体管 电子迁移率 高崩溃电压 互补式金氧 处理功率 电性连接 方向延伸 晶格方向 耐热性质 射频功率 提升系统 硅基板 基板 整合 制造 电路 芯片 | ||
1.一种半导体结构，包括：
硅基板，具有凹沟，其中该凹沟的侧壁的晶格方向为(111)，且该凹沟以第一方向延伸；
外延层，设置于该凹沟的侧壁上；以及
栅极，设置于该外延层上，并电性连接该外延层。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该硅基板的晶格方向为(100)。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该凹沟的侧壁为斜面。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该外延层形成于该凹沟的侧壁上，并延伸于该凹沟的底部与该硅基板上。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该外延层包括三族氮化物。
6.如权利要求4所述的半导体结构，更包括源极与漏极，分别设置于该硅基板上与该凹沟的该底部，且该栅极、该源极与该漏极以第二方向延伸，该第二方向平行于该第一方向。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该源极与该漏极更包括设置于该凹沟的侧壁上。
8.如权利要求6所述的半导体结构，其中该外延层、该栅极、该源极与该漏极构成高电子迁移率晶体管。
9.如权利要求8所述的半导体结构，更包括互补式金氧半电路，设置于该硅基板中，并与该高电子迁移率晶体管电性隔离。
10.如权利要求1所述的半导体结构，更包括源极与漏极，分别设置于该外延层上，其中该栅极、该源极与该漏极延伸于该凹沟的底部与该硅基板上，且该栅极、该源极与该漏极以第二方向延伸，该第二方向垂直于该第一方向。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其中该外延层、该栅极、该源极与该漏极构成高电子迁移率晶体管。
12.如权利要求11所述的半导体结构，更包括互补式金氧半电路，设置于该硅基板中，并与该高电子迁移率晶体管电性隔离。
13.一种半导体结构的制造方法，包括：
提供硅基板；
蚀刻该硅基板，以于该硅基板中形成凹沟，其中该凹沟的侧壁的晶格方向为(111)，且该凹沟以第一方向延伸；
形成外延层于该凹沟的侧壁上；以及
形成栅极于该外延层上，并电性连接该外延层。
14.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，其中该硅基板的晶格方向为(100)。
15.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，其中以氢氧化钾或氢氧化钠蚀刻该硅基板，以于该硅基板中形成该凹沟。
16.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，其中该凹沟的侧壁为斜面。
17.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，其中该外延层形成于该凹沟的侧壁上，并延伸于该凹沟的底部与该硅基板上。
18.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，其中该外延层包括三族氮化物。
19.如权利要求17所述的半导体结构的制造方法，更包括形成源极与漏极，分别于该硅基板上与该凹沟的该底部，且该栅极、该源极与该漏极以第二方向延伸，该第二方向平行于该第一方向。
20.如权利要求19所述的半导体结构的制造方法，其中该源极与该漏极更包括自该硅基板上延伸至该凹沟的侧壁上。
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