[发明专利]晶片表面加工处理方法在审
| 申请号： | 201611237333.1 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106736881A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 林岳明 | 申请（专利权）人： | 苏州爱彼光电材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B37/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215215 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 加工 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片表面加工处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
对晶片进行研磨，得到研磨片；
对所述研磨片的整面进行等离子蚀刻，得到蚀刻片；
对所述蚀刻片进行抛光。
2.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述研磨的减薄厚度为50～80μm。
3.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述研磨的时间为1～2h。
4.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述蚀刻的减薄厚度为3～6μm。
5.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述等离子蚀刻的时间为10～20min。
6.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述等离子蚀刻的蚀刻气体为氯基气体、溴基气体、或氟基气体。
7.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述抛光为化学机械抛光。
8.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述抛光的时间为2～4h。
9.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述的抛光的减薄厚度为1～2μm。
10.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述晶片为碳化硅晶片或氮化镓晶片。
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