[发明专利]一种铁氧体磁珠及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611237697.X 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN106816264B 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 许光;李美帆 申请(专利权)人: 深圳顺络电子股份有限公司
主分类号: H01F17/00 分类号: H01F17/00;H01F41/00
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 余敏
地址: 518110 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 铁氧体 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种铁氧体磁珠及其制备方法。铁氧体磁珠的制备方法包括以下步骤:S1,制备铁氧体磁珠半成品,所述磁珠半成品中磁体由铁氧体材料烧结而成,磁体上设置有银电极;S2,将所述铁氧体磁珠半成品放入氧气体积分数为60%~95%的炉内在400℃~600℃的温度下进行高温处理2h~10h,处理结束后,随炉冷却;S3,将经过步骤S2处理后的磁珠半成品进行电镀处理,在磁珠半成品的电极上沉积金属镀层,制得铁氧体磁珠。本发明的制备方法可提高制得的产品的外观合格率,且制造成本较低。

【技术领域】

本发明涉及铁氧体磁珠的制备工艺。

【背景技术】

现有的高磁导率铁氧体磁珠产品,在电镀过程中,镀层除了在磁体两端的电极上沉积之外,还会延伸到磁珠产品的磁体部分,导致磁珠产品外观不良和产品短路等。对于此类外观不良的产品,目前主要通过人工或机器挑选将渗镀不良品剔除,由此导致生产效率低下。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是:弥补上述现有技术的不足,提出一种铁氧体磁珠及其制备方法,可提高制得的产品的外观合格率,且制造成本较低。

本发明的技术问题通过以下的技术方案予以解决:

一种铁氧体磁珠的制备方法,包括以下步骤:S1,制备铁氧体磁珠半成品,所述磁珠半成品中磁体由铁氧体材料烧结而成,磁体上设置有银电极;S2,将所述铁氧体磁珠半成品放入氧气体积分数为60%~95%的炉内在400℃~600℃的温度下进行高温处理2h~10h,处理结束后,随炉冷却;S3,将经过步骤S2处理后的磁珠半成品进行电镀处理,在磁珠半成品的电极上沉积金属镀层,制得铁氧体磁珠。

优选的技术方案中,

步骤S2为:将所述铁氧体磁珠半成品堆积在耐高温承载物上,放入炉内,然后将炉密封,对炉内进行抽真空,使得炉内压强在-50KPa~-120KPa时,通入体积分数为60%~95%的氧气,通入氧气后使炉内的压强保持在2KPa~5Kpa,然后将所述炉内温度升高至400℃~600℃,进行高温处理2h~10h,处理结束后,随炉冷却。

将所述铁氧体磁珠半成品以平铺或者堆叠的方式装载到所述耐高温承载物上。

所述耐高温承载物的材质为氧化铝或碳化硅。

在1h~2h的时间内将所述炉内的温度升高至400℃~600℃。

步骤S2中,所述氧气的体积分数为90%~95%。

步骤S3中,所述金属镀层为镍镀层或者锡镀层。

一种根据如上所述的制备方法制得的铁氧体磁珠。

本发明与现有技术对比的有益效果是:

本发明的铁氧体磁珠的制备方法,将产品在烧结之后、电镀之前进行氧气氛围下的高温回炉处理,使得磁体表面的金属粒子高效地转换为半导体金属氧化物。在电极上电镀沉积镀层时,半导体金属氧化物上无法沉积镀层,从而可避免镀层在磁体部位进行沉积,进而可避免在电镀过程中出现镀层渗镀导致外观不良的问题。在经过氧氛围高温回炉处理后,产品电镀时渗镀不良的问题得到有效的控制,产品的外观合格率较高。通过上述炉内高温处理,工艺过程简便,相对于以往某些高端产品上对磁体整体涂覆绝缘材料改善外观的方案,本发明的处理过程成本较低,更适合于低端产品上的外观改进。

【具体实施方式】

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