[发明专利]利用高能电子辐照促进等规聚1-丁烯复合材料中晶型II-I转变的方法有效
申请号: | 201611238142.7 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN108250594B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 李景庆;蔡晓倩;蒋世春;尚英瑞 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C08L23/20 | 分类号: | C08L23/20;C08L23/06;C08J3/28 |
代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 王秀奎 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 高能 电子 辐照 促进 丁烯 复合材料 中晶型 ii 转变 方法 | ||
1.利用高能电子辐照促进等规聚1-丁烯复合材料中晶型II-I转变的方法,其特征在于,包括在转矩流变仪上实现低密度聚乙烯和等规聚1-丁烯熔融共混,熔融温度为180℃,对等规聚1-丁烯复合材料进行高能电子辐照,高能电子辐照剂量为260KGy;所述等规聚1-丁烯复合材料由等规聚1-丁烯和低密度聚乙烯组成,低密度聚乙烯的质量百分数为15wt%。
2.高能电子辐照在促进等规聚1-丁烯复合材料中晶型II-I转变中的应用,其特征在于,包括在转矩流变仪上实现低密度聚乙烯和等规聚1-丁烯熔融共混,熔融温度为180℃,对等规聚1-丁烯复合材料进行高能电子辐照,高能电子辐照剂量为260KGy;所述等规聚1-丁烯复合材料由等规聚1-丁烯和低密度聚乙烯组成,低密度聚乙烯的质量百分数为15wt%。
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