[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括用于形成第一N型器件的第一N区、用于形成第二N型器件的第二N区、用于形成第一P型器件的第一P区以及用于形成第二P型器件的第二P区，且所述第一N型器件的阈值电压小于第二N型器件的阈值电压，所述第一P型器件的阈值电压大于第二P型器件的阈值电压；在所述第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区的基底上形成栅介质层以及位于所述栅介质层上的第一功函数层；

刻蚀所述第一功函数层，保留位于所述第二P区、第一N区以及第二N区的第一功函数层；

在刻蚀所述第一功函数层之后，在所述第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区上形成第二功函数层；

刻蚀去除所述第二N区的第二功函数层以及第一功函数层，直至暴露出所述第二N区的栅介质层；

对所述第二N区的栅介质层进行氧空位钝化处理，降低所述第二N区的栅介质层内的氧空位含量；

刻蚀去除所述第一N区的第二功函数层以及第一功函数层，直至暴露出所述第一N区的栅介质层；

在所述第一N区和第二N区的栅介质层上、以及所述第一P区和第二P区的第二功函数层上形成第三功函数层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，刻蚀去除所述第二N区的第二功函数层以及第一功函数层，直至暴露出所述第二N区的栅介质层，且所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液体具有氧化性。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺包括主刻蚀工艺以及过刻蚀工艺，其中，利用所述过刻蚀工艺进行所述氧空位钝化处理。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液体为SC1溶液、SC2溶液或者SPM溶液。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述过刻蚀工艺的刻蚀时长为10s～2min。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用含有过氧化氢的处理溶液，进行所述氧空位钝化处理。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述处理溶液中，过氧化氢质量浓度为5％～20％，处理溶液温度为20℃～50℃。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述处理溶液为SC1溶液、SC2溶液或者SPM溶液。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，先进行所述氧空位钝化处理，后刻蚀去除所述第一N区的第二功函数层以及第一功函数层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为高k栅介质材料。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述栅介质层之前，还在所述第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区的基底上形成界面层。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一功函数层的材料、第二功函数层以及第三功函数层的材料均为P型功函数材料。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述P型功函数材料包括Ta、TiN、TaN、TaSiN或TiSiN中的一种或几种。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括步骤：在所述第一N区、第二N区、第一P区和第二P区的第三功函数层上形成N型功函数层，且所述N型功函数层的材料功函数类型与所述第三功函数层的材料功函数类型不同；在所述N型功函数层上形成栅电极层。