[发明专利]一种数据读取方法及装置

权利要求书

1.一种数据读取方法，其特征在于，包括：

闪存控制器接收到读取指令时，在待读取数据所在页加载预设参考电压，获取所述待读取数据所在页中存储元的第一电压状态信息；

所述闪存控制器根据所述第一电压状态信息对所述待读取数据进行解码，确定解码失败时，判断所述待读取数据所在页所属块的编程擦除次数是否小于预设阈值；

在所述编程擦除次数小于所述预设阈值时，在所述待读取数据所在页继续加载第一左移参考电压，根据所述第一左移参考电压和所述预设参考电压获取所述待读取数据所在页中存储元的第二电压状态信息对所述待读取数据进行解码，其中，所述第一左移参考电压小于所述预设参考电压；

在所述编程擦除次数大于或等于所述预设阈值时，在所述待读取数据所在页继续加载第一右移参考电压，根据所述第一右移参考电压和所述预设参考电压获取所述待读取数据所在页中存储元的第二电压状态信息对所述待读取数据进行解码，其中，所述第一右移参考电压大于所述预设参考电压。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述第一左移参考电压和所述预设参考电压获取所述待读取数据所在页中存储元的第二电压状态信息对所述待读取数据进行解码后，包括：

所述闪存控制器确定解码失败时，在所述待读取数据所在页继续加载第二左移参考电压，根据所述第一左移参考电压、所述第二左移参考电压和所述预设参考电压获取所述待读取数据所在页中存储元的第三电压状态信息对所述待读取数据进行解码，其中，所述第二左移参考电压小于所述第一左移参考电压；

在根据所述第一右移参考电压和所述预设参考电压获取所述待读取数据中存储元的第二电压状态信息对所述待读取数据进行解码后，包括：

所述闪存控制器确定解码失败时，在所述待读取数据所在页继续加载第二右移参考电压，根据所述第一右移参考电压、所述第二右移参考电压和所述预设参考电压获取所述待读取数据中存储元的第三电压状态信息对所述待读取数据进行解码，其中，所述第二右移参考电压大于所述第一右移参考电压。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设参考电压与所述第一左移参考电压的间隔等于所述第一左移参考电压与所述第二左移参考电压的间隔；

所述预设参考电压与所述第一右移参考电压的间隔等于所述第一右移参考电压与所述第二右移参考电压的间隔。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述待读取数据所在页中存储元为多级存储元MLC或三级存储元TLC。

5.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，在闪存控制器接收到读取指令后，包括：

所述闪存控制器根据所述读取指令中携带的待读取数据所在页的地址，确定所述待读取数据所在页。

6.一种数据读取装置，其特征在于，包括：

获取单元，用于接收到读取指令时，在待读取数据所在页加载预设参考电压，获取所述待读取数据所在页中存储元的第一电压状态信息；

第一处理单元，用于根据所述第一电压状态信息对所述待读取数据进行解码，确定解码失败时，判断所述待读取数据所在页所属块的编程擦除次数是否小于预设阈值；

在所述编程擦除次数小于所述预设阈值时，在所述待读取数据所在页继续加载第一左移参考电压，根据所述第一左移参考电压和所述预设参考电压获取所述待读取数据所在页中存储元的第二电压状态信息对所述待读取数据进行解码，其中，所述第一左移参考电压小于所述预设参考电压；

在所述编程擦除次数大于或等于所述预设阈值时，在所述待读取数据所在页继续加载第一右移参考电压，根据所述第一右移参考电压和所述预设参考电压获取所述待读取数据所在页中存储元的第二电压状态信息对所述待读取数据进行解码，其中，所述第一右移参考电压大于所述预设参考电压。