[发明专利]一种有机发光显示面板以及电子设备在审
申请号: | 201611241902.X | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106654033A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 滨田;程爽;王湘成;牛晶华;雷志宏 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 以及 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光显示面板以及电子设备。
背景技术
OLED,即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode),又称为有机电致发光器件,是指发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的现象。与液晶显示(LCD)装置相比,有机发光显示装置更轻薄,具有更好的视角和对比度等,因此受到了人们的广泛关注。
有机电致发光器件的结构一般包括对应每个像素区域的阳极、辅助功能层(如空穴传输层,电子传输层,电子注入层等)、发光层和阴极,当电压被施加到阳极与阴极上时,空穴和电子分别传输移动至发光层,二者在发光层中复合形成激子;激子在电场的作用下发生迁移,将能量传递给发光材料,并激发发光材料中的电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活产生光子,释放出光能。
对于现有的有机电致发光器件而言,空穴和电子常常穿越发光层,分别向阴极和阳极传输,这类空穴和电子的能量由于未能够用来激发材料发光,从而使得器件的效率和寿命降低。与此同时,空穴和电子复合形成激子后向两侧扩散,一部分激子就会扩散到未掺杂发光材料的其他区域,例如空穴传输层或者电子传输层等,然后发生衰减,然而这类激子的衰减不能产生光子,这也造成有机电致发光器件的发光效率降低。此外,现有的有机电致发光器件发光层中的发光中心的位置容易偏移,通过模拟发现,发光中心位置的偏移会造成发光亮度的变化以及面板的色偏问题。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示面板以及电子设备,以实现空穴和电子在发光材料层中的平衡,调节器件中发光中心的位置,提高有机发光显示面板的发光效率。
第一方面,本发明实施例提供了一种有机发光显示面板,包括:
衬底基板;
依次位于衬底基板上方的第一电极、第一发光材料层、第二发光材料层和第二电极;
其中,第一发光材料层包括至少一P型主体材料和至少一N型主体材料;所述第二发光材料层包括至少一P型主体材料和至少一N型主体材料;所述第一发光材料层中P型主体材料的总含量大于N型主体材料的体积百分总含量;所述第二发光材料层中N型主体材料的总含量大于P型主体材料的体积百分总含量。
第二方面,本发明实施例还提供了一种电子设备,包括第一方面所述的有机发光显示面板。
本发明提供的有机发光显示面板包括第一电极、第一发光材料层、第二发光材料层和第二电极,第一发光材料层和第二发光材料层均包括至少一种P型主体材料和至少一N型主体材料,这种材料兼具有传电子和空穴的双极性功能,使电子和空穴能够在两个发光材料层的主体材料中得到有效平衡,又通过设置第一发光材料层中P型主体材料的总含量大于N型主体材料的体积百分总含量以及第二发光材料层中N型主体材料的总含量大于P型主体材料的体积百分总含量,使空穴容易注入第一发光材料层以及使电子容易注入第二发光材料层,另外,这种双发光材料层的设计由于控制了发光中心的位置位于第一发光材料层和第二发光材料层的交界处,从而即使在外加电压有变化的情况下,电子和空穴的复合区域也被限定在发光材料层中,进一步提高了有机发光显示面板的发光效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图,如图1所示,有机发光显示面板包括衬底基板10以及依次位于衬底基板10上方的第一电极20、第一发光材料层30、第二发光材料层40和第二电极50。
其中,第一发光材料层30包括至少一P型主体材料和至少一N型主体材料,第二发光材料层40包括至少一P型主体材料和至少一N型主体材料,并且第一发光材料层30中P型主体材料的总含量大于N型主体材料的体积百分总含量,第二发光材料层40中N型主体材料的总含量大于P型主体材料的体积百分总含量。
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