[发明专利]鳍式场效晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成鳍部和栅极结构，所述鳍部成条状，所述栅极结构部分地横跨所述鳍部，所述栅极结构的两侧暴露出部分鳍部；

刻蚀所述栅极结构的所述两侧的至少其中之一暴露出的所述部分鳍部；

对经过刻蚀之后暴露出的所述鳍部的侧壁进行离子注入，以形成掺杂区；以及

形成源极结构和漏极结构，所述源极结构和所述漏极结构分别位于所述鳍部的两侧。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入注入的离子类型与所述鳍式场效晶体管的类型相同。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述鳍式场效晶体管为N型，所述离子注入注入的所述离子类型包括砷或者磷，所述离子注入的注入角度为5度～15度，注入深度为3nm～12nm，注入能量为1KeV～6KeV，注入剂量为5e13～1e15。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述鳍式场效晶体管为P型，所述离子注入注入的所述离子类型包括硼、氟化硼或者铟，所述离子注入的注入角度为5度～15度，注入深度为3nm～12nm，注入能量为1KeV～6KeV，注入剂量为5e13～1e15。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述部分鳍部之前，还包括：对所述鳍部进行袋状离子注入和低掺杂注入，以形成低掺杂区。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述袋状离子注入注入的离子类型与所述离子注入注入的离子类型相同。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述袋状离子注入的注入角度为15度～35度，注入深度为10nm～30nm，注入能量为5KeV～15KeV，注入剂量为1e13～1e14。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成鳍部和栅极结构包括：

形成鳍部，所述鳍部成条状；以及

形成部分地横跨所述鳍部的依次堆叠的栅介质层和栅电极层、以及位于所述依次堆叠的栅介质层和栅电极层外侧的侧墙，其中，所述依次堆叠的栅介质层和栅电极层以及所述侧墙构成所述栅极结构。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，刻蚀所述栅极结构的所述两侧的至少其中之一暴露出的所述部分鳍部包括：刻蚀所述栅极结构的所述两侧暴露出的所述部分鳍部。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，刻蚀所述栅极结构的所述两侧的至少其中之一暴露出的所述部分鳍部包括：

在所述栅极结构上以及所述栅极结构的所述两侧的其中一侧暴露出的所述部分鳍部上形成掩模层；以及

刻蚀去除所述栅极结构的所述两侧的另一侧暴露出的所述部分鳍部。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在进行所述离子注入之后，还包括退火工艺。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述退火工艺为尖峰退火，所述尖峰退火的温度范围为900摄氏度～1030摄氏度，温度上升速率为250摄氏度每秒～300摄氏度每秒，温度下降速率为250摄氏度每秒～300摄氏度每秒。

13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述退火工艺为激光退火，所述激光退火的温度范围为1200摄氏度～1300摄氏度，退火时间为10毫秒～60毫秒。