[发明专利]摄像装置

说明书

本发明提供能够抑制高亮度残像的摄像装置。摄像装置具有：第1单位像素单元，包括第1电极、与所述第1电极对置的第2电极、所述第1电极和所述第2电极之间的第1光电变换层、以及与所述第1电极连接并检测在所述第1光电变换层产生的第1信号电荷的第1信号检测电路；以及电压供给电路，在所述第1单位像素单元蓄积所述第1信号电荷的第1期间中，所述电压供给电路对所述第2电极施加第1电压，在与所述第1期间不同的第2期间中，所述电压供给电路对所述第1电极或者所述第2电极至少一方施加第2电压，以使在所述第2期间中包含使所述第1电极与所述第2电极的电位差为零的时刻。

技术领域

本发明涉及摄像装置。

背景技术

近年来研发出了具有有机光电变换层的摄像元件。

专利文献1公开了以下的内容。在有机光电变换层生成的信号电荷由于在有机光电变换层中的移动速度较小，因而在高亮度光入射到有机光电变换层的情况下，容易产生残像(以下，简称为“高亮度残像”)。残像的原因是残留电荷的产生，为了抑制该情况，优选不在像素电极之间的正下方配置配线。通过不在像素电极之间的正下方配置配线，能够在像素电极之间的有机光电变换层内增强朝向像素电极的方向的电场强度。由此，能够缩短像素电极捕捉信号电荷所需要的时间，能够降低高亮度残像。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2013-84789号公报

发明内容

发明要解决的问题

需要在摄像元件中抑制高亮度残像。

用于解决问题的手段

本发明的非限定性的某个示例性的实施方式提供以下技术。

一种摄像装置，具有：第1单位像素单元，包括第1电极、与第1电极对置的第2电极、第1电极和第2电极之间的第1光电变换层、以及与第1电极连接并检测在第1光电变换层产生的第1信号电荷的第1信号检测电路；以及电压供给电路，在第1单位像素单元蓄积第1信号电荷的第1期间中，电压供给电路对第2电极施加第1电压，在与第1期间不同的第2期间中，电压供给电路对第1电极或者第2电极至少一方施加第2电压，以使在第2期间中包含使第1电极与第2电极的电位差为零的时刻。

另外，概括性的或具体的方式也可由元件、器件、装置、系统、集成电路、方法或者计算机程序来实现。并且，概括性的或具体的方式也可通过元件、器件、装置、系统、集成电路、方法及计算机程序的任意组合来实现。

所公开的实施方式的追加性效果及优点根据说明书及附图得到明确。效果及/或优点由在说明书及附图中公开的各个实施方式或者特征单独实现，为了得到这些效果及/或优点中一个以上的效果及/或优点，不一定需要上述全部要素。

发明效果

根据本发明的实施方式，能够维持像素内的配线自由度，实现高亮度残像的抑制。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的摄像装置的示例性的电路结构的示意图。

图2是表示单位像素单元10的示例性的器件构造的剖面示意图。

图3是表示含有萘酞菁锡的光电变换层的吸收波谱的一例的图。

图4是表示光电变换层15的结构的一例的剖面示意图。

图5是说明本发明的实施方式的摄像装置的动作的一例的时序图。

图6是说明本发明的实施方式的摄像装置的另一种动作的一例的时序图。

图7是说明本发明的实施方式的摄像装置的另一种动作的一例的时序图。