[发明专利]有源层、包括其的薄膜晶体管阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其包括：

基板；

在所述基板上的栅电极；

在所述栅电极上的栅极绝缘膜；

有源层，所述有源层位于所述栅极绝缘膜上并且包括具有块状形式的至少一个半导体材料部和具有块状形式的至少一个碳同素异形体部；以及

接触所述有源层的源电极和漏电极，

其中至少一个所述半导体材料部接触所述源电极和漏电极中的至少一者；以及

所述碳同素异形体部和所述半导体材料部形成为所述碳同素异形体部和所述半导体材料部在所述源电极和漏电极之间在相同平面上沿水平方向彼此交替地布置的并置结构；

其中所述至少一个碳同素异形体部包括还原的石墨烯氧化物(rGO)、未氧化的石墨烯、碳纳米管及其混合物中之一。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述至少一个碳同素异形体部包括多个畴。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中每一个畴通过在所述碳同素异形体部中的碳原子之间的化学键合形成。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述至少一个碳同素异形体部具有一维或二维结构。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述碳同素异形体部包括石墨烯纳米带。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述至少一个半导体材料部包括陶瓷半导体材料、有机半导体材料、过渡金属硫族化合物及其混合物之一。

7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述至少一个半导体材料部位于沟道中。

8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述至少一个碳同素异形体部位于沟道中。

9.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述至少一个半导体材料部位于两个碳同素异形体部之间。

10.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述至少一个碳同素异形体部位于两个半导体材料部之间。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，包括：

其中所述有源层包括一个碳同素异形体部以及两个半导体材料部，以及

其中所述一个碳同素异形体部位于所述两个半导体材料部之间，

其中所述两个半导体材料部中的每个接触所述源电极和所述漏电极中的一者。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述有源层包括接触所述源电极的一个碳同素异形体部以及接触所述漏电极的一个半导体材料部。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述一个碳同素异形体部从所述源电极延伸超过所述有源层的长度的一半，以及所述一个半导体材料部从所述漏电极延伸所述有源层的剩余部分的长度。

14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述有源层包括第一碳同素异形体部，第二碳同素异形体部，第一半导体材料部，第二半导体材料部以及第三半导体材料部，

所述第一半导体材料部接触所述源电极，

所述第三半导体材料部接触所述漏电极，

所述第二半导体材料部位于所述第一半导体材料部和第三半导体材料部之间，

所述第一碳同素异形体部位于所述第一半导体材料部和所述第二半导体材料部之间，以及

所述第二碳同素异形体部位于所述第二半导体材料部和所述第三半导体材料部之间。