[发明专利]一种高储能密度玻璃陶瓷薄膜的制备方法有效
申请号: | 201611243215.1 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106783811B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 谭飞虎;杜军;张庆猛;周昊 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;C03C10/02;C03B32/02;C23C14/35;C23C14/28;C23C14/10;C23C14/18 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 张文宝 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高储能 密度 玻璃 陶瓷 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种玻璃陶瓷薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(1)选择原料,配料,研磨,混合,所述原料为PbO,SrCO3,Na2CO3,Nb2O5和SiO2;将所述原料加热熔融,在模具中成型为片状物;
(2)将步骤(1)制备的片状物进行可控结晶热处理,得到以铌酸盐陶瓷相为主晶相的玻璃陶瓷片,通过机械加工得到圆片靶材;所述可控结晶热处理的工艺为:在600℃保温3h,再升温到900-1000℃,保温3h;
(3)清洗重掺硅衬底,去除重掺硅表面的氧化层,得到基片,将所述基片和步骤(2)得到的靶材分别进行沉积;所述沉积的工艺参数为真空度小于3.5×10-4pa,通入0-20pa的O2,沉积时间为0.5-2h;
(4)通过光刻工艺制备规则图案,使用磁控溅射在靶材表面镀金3min,形成顶电极,在基片底部镀铝15min,使铝与重掺硅基片形成欧姆接触作为底电极,形成MIM结构的电容;所述顶电极直径50-500um。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,步骤(1)中所述原料为分析纯粉末原料,所述原料的摩尔比为Pb2+:Sr2+:Na+:Nb5+:Si4+=1:1.5-2:2-6:5-10:6-8。
3.根据权利要求1所述方法,其特征在于,步骤(1)中所述研磨使用直径5-15mm的玛瑙球作为研磨介质。
4.根据权利要求1所述方法,其特征在于,步骤(2)中所述圆片靶材的直径50-55mm,厚度2-5mm。
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