[发明专利]随机动态处理存储器元件的形成方法有效
| 申请号： | 201611244788.6 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108257919B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 黄丰铭;蔡建成 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 随机 动态 处理 存储器 元件 形成 方法 | ||
1.一种随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于包含：
提供一基底，该基底上包含存储区及周边区；
在该基底的该周边区上形成一第一半导体层；
在该基底上依序形成一绝缘层与一第二半导体层，其中，该绝缘层直接接触该基底在该存储区内的顶面以及该第一半导体层在该周边区内的顶面；
在该第二半导体层上形成一牺牲层，该牺牲层在该存储区及该周边区的顶表面彼此齐平；以及
进行一移除制作工艺，移除该牺牲层、一部分的该第二半导体层与一部分的该绝缘层，以暴露该第一半导体层，其中，在该移除制作工艺后，该第一半导体层的顶表面与该第二半导体层的顶表面齐平。
2.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该第一半导体层与该第二半导体层包含相同的材质。
3.依据权利要求2所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该第一半导体层与该第二半导体层包含不同的掺质。
4.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该移除制作工艺包含：
进行一第一蚀刻制作工艺，特定地移除该牺牲层以暴露位于该周边区的该第二半导体层；以及
进行一第二蚀刻制作工艺，同时移除该牺牲层及该第二半导体层。
5.依据权利要求4所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，在该第二蚀刻制作工艺中，该牺牲层及该第二半导体层是由相同的蚀刻速率被移除。
6.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该牺牲层包含一有机介电层。
7.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该牺牲层具有一厚度，该厚度是该第二半导体层的厚度的两倍或两倍半。
8.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，还包含：
在该存储区形成至少一插塞沟槽，且该基底的一部分可自该插塞沟槽的底部被暴露出。
9.依据权利要求8所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该第二半导体层接触自该插塞沟槽的该底部所暴露出的该基底。
10.依据权利要求8所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，还包含：
在该基底形成一掺杂区，该掺杂区位于该插塞沟槽的该底部的下方。
11.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，在该移除制作工艺后，还包含：
图案化该第二半导体层以在该存储区形成多个接触插塞及至少一位线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
