[发明专利]集成芯片与其形成方法

说明书

本公开一些实施例关于集成芯片与其形成方法，集成芯片具有通孔支撑结构于接合垫下。集成芯片具有影像感测单元配置于基板中。接合垫区延伸穿过基板以达配置于介电结构中的第一金属内连线线路，接合垫区横向偏离影像感测单元，且介电结构沿着基板正面。接合垫配置于接合垫区中，并接触第一金属内连线线路。通孔支撑结构配置于介电结构中并具有一或多个通孔，且通孔与接合垫的间隔有第一金属内连线线路。一或多个其他通孔配置于介电结构中，并横向偏离接合垫区。通孔的尺寸大于其他通孔。

技术领域

本公开涉及一种具有通孔支撑结构于接合垫下的集成芯片，以及其形成方法。

背景技术

集成电路与影像感测器已广泛应用于现今的电子装置中，比如相机与手机。近几年来，互补式金氧半影像感测器开始大量应用，大幅取代电荷耦合装置的影像感测器。与电荷耦合装置的影像感测器相比，互补式金氧半影像感测器具有优点如低耗电、小尺寸、快速数据处理、直接输出数据以及低制作成本。互补式金氧半影像感测器的种类可包含正照式影像感测器与背照式影像感测器。

发明内容

本公开一实施例的主要发明目的在于提供一种集成芯片，以降低接合应力造成的集成芯片损伤。

本公开一实施例的另一发明目的在于提供一种集成芯片的形成方法，以降低接合应力造成的集成芯片损伤。

本公开一实施例提供的集成芯片，包括影像感测单元、接合垫区、导电接合垫、通孔支撑结构以及一或多个其他通孔。影像感测单元配置于基板中。接合垫区延伸穿过基板，其中接合垫区自基板的背面延伸至介电结构中的第一金属内连线线路，且介电结构沿着基板的正面配置。导电接合垫配置于接合垫区中并接触第一金属内连线线路。通孔支撑结构配置于介电结构中并包含一或多个通孔，且通孔与导电接合垫的间隔有第一金属内连线线路。一或多个其他通孔配置于介电结构中并横向偏离接合垫区。通孔的尺寸大于其他通孔。

本公开一实施例提供的集成芯片，包含基板、接合垫区、通孔支撑结构。接合垫配置于延伸穿过基板的接合垫区中。接合垫区自该基板的背面延伸至一介电结构中的第一金属内连线线路，且介电结构沿着基板正面。通孔支撑结构包括一或多个通孔配置于介电结构中，且通孔与基板的间隔有第一金属内连线线线路。通孔支撑结构的金属图案密度大于或等于约40％。

本公开一实施例提供的集成芯片的形成方法，包括沿着基板的正面形成一或多个晶体管。此方法亦包括形成第一金属内连线线路于第一层间介电层中，且第一层间介电层沿着基板的正面。此方法亦包括形成通孔支撑结构于第二层间介电层中，通孔支撑结构包括一或多个通孔配置于第一金属内连线线路下，且第二层间介电层与基板的间隔有第一层间介电层。此方法亦包括形成一或多个其他通孔于第二层间介电层中，其中通孔的尺寸大于其他通孔。此方法亦包括减少基板的厚度，以及形成接合垫区于通孔支撑结构上，其中接合垫区延伸穿过基板以达该第一金属内连线线路。此方法亦包括形成接合垫于接合垫区中。

附图说明

图1为一实施例中，集成芯片的剖视图，其具有通孔支撑结构配置于接合垫下。

图2为一些实施例中，背照式影像感测芯片的剖视图，其具有通孔支撑结构配置于接合垫下。

图3为一些其他实施例中，背照式影像感测芯片的剖视图，其具有通孔支撑结构配置于接合垫下。

图4为一些实施例中，配置于三维集成芯片结构中的背照式影像感测器的剖视图，且三维集成芯片结构具有以面对面的方式相连的层状物。

图5A至图5C为多种实施例中，配置于接合垫下的通孔支撑结构的俯视图。

图6至图15为一些实施例中，具有通孔支撑结构配置于接合垫下的集成芯片其形成方法的剖视图。

图16为一些实施例中，具有通孔支撑结构配置于接合垫下的集成芯片其形成方法的流程图。

附图标记说明：