[发明专利]一种修复硅片崩边的方法

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅片切割领域，尤其涉及一种修复硅片崩边的方法。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。太阳能发电装置的核心是电池片，目前绝大多数都采用硅片制成，硅片需要经过切割才能使用。

砂浆线锯切割技术是当前光伏产业应用最广泛，技术最成熟的切割工艺，经过多年的不断改进，已经成为行业的主流切割技术。它是利用切割仞料碳化硅与聚乙二醇混合的砂浆喷落在切割钢丝组成的线网上，通过高速运动使砂浆中的碳化硅压嵌入紧压在线网上的硅棒表面，形成三体磨料磨损，以达到切割效果。

金刚线切割技术也是一个非常成熟的工艺。与砂浆线锯切割技术的不同点在于所用的切割线不同，它是利用电镀或树脂粘接的方法将金刚石磨料固定在钢线表面，将磨料与切割线结合在一起，在切割时属于二体切割。

上述两者相比，金刚石线锯切割技术，具有切割速率高、锯缝硅损耗少，环境负荷小等突出优点，已在单晶硅片切割生产中取代砂浆线锯切割技术。但金刚石线锯切割多晶硅片的力学性能不好，这主要体现在其力学性能的各向异性及较低的断裂强度。这是由两种切割技术切割机制不同所导致的表面微裂纹不同引起的。在受沿着切割纹方向的力作用下其强度较高，而当受垂直于切割纹方向的力的作用时强度较低；反馈在切割良品率上就是崩边比例高，特别是在垂直于切割方向的粘胶面上，是影响切割良率和电池制程碎片率的主要缺陷，平均占比超过5%。

现有的崩边硅片，根据崩边尺寸和程度的不同，作为B级或者C级片降级、降价销售甚至作为废品处理，造成原料浪费。且缺陷片特别是金刚线切割的崩边在电池端，制程碎片率高，外观不良，成品率没有保障。

发明内容

本发明的目的在于提供一种修复硅片崩边的方法。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种修复硅片崩边的方法，在待修复硅片的两侧设置假片，待修复硅片位于假片中间，假片与待修复硅片在待修复硅片的厚度方向上叠置，各待修复硅片的侧边与其相邻待修复硅片的侧边对齐；

使用莫氏硬度大于7的颗粒对待修复硅片的崩边进行修复。

上述方案中，所述假片为片状构件，优选地，假片的形状大小与待修复硅片相匹配，假片的形状大小也可以与待修复硅片不同，只要能够达到遮挡待修复硅片表面的效果，避免待修复硅片表面受损即可；

上述方案中，硅片可作为假片。

上述方案中，所述相对硬度的定义为：硬度表示一般分为绝对硬度与相对硬度，绝对硬度一般只会在科家界使用，而在实际生产中极少应用，故通常我们所接触到的硬度单位体系为相对硬度，常有几种表示方法：肖氏硬度（又称：邵氏硬度）、洛氏硬度、布氏硬度（又称：勃氏硬度）、洛克氏硬度，本发明采用的是莫氏硬度大于7的颗粒，其单位为1。

上述方案中，颗粒莫氏硬度可以为7.5、8、8.5、9、9.5、10、10.5、11、11.5等。

上述方案中，所述硅片分选过程中，将崩边缺陷单独分类、收集，按照崩边出现的位置归置整齐。

上述方案中，所述颗粒粒径为6~9微米，所述颗粒优选为碳化硅砂或金刚石颗粒。

上述方案中，利用喷砂机对硅片崩边进行修复，将待修复硅片置于喷砂机的加工室中，在喷砂机中添加碳化硅砂或金刚石颗粒。

优选地，所述喷砂机的喷枪将碳化硅砂或金刚石颗粒喷射在待修复硅片的崩边上；喷砂机的喷枪喷射方向垂直于硅片表面；喷枪以2-8MPA的压力进行喷射。

优选地，所述喷枪压力为3-5MPA。

上述方案中，对修复过的硅片进行清洗并烘干，接着进行再次分选，对待修复硅片进行再修复，直至无法分选出待修复硅片为止。

上述方案中，所述待修复硅片与假片通过一工装夹紧，保证相邻待修复硅片之间不存在间隙，以防止碳化硅砂或金刚石颗粒进入硅片表面损伤硅片。

优选地，所述工装包括硅片放置盒、定位板和盖板，其中：

所述硅片放置盒包括一矩形底板及三个侧板，三个侧板分别设于矩形底板的三条侧边上并垂直于矩形底板的上表面设置；

所述定位板与盖板之间设置有导向定位结构，该导向定位结构的导向方向平行于定位板的厚度方向；