[发明专利]一种利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法

权利要求书

1.一种利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1】对不同型号的SRAM存储器分别进行中子辐射标定，绘制数据翻转数与中子注量的关系曲线；

2】筛选数据翻转数与中子注量呈线性关系的SRAM存储器型号N，并将拟合曲线的斜率作为所述SRAM存储器型号N的中子单粒子效应翻转截面；

3】将型号为N的SRAM存储器置于待监测的中子辐射环境，绘制数据翻转数与辐射时间的关系曲线；数据翻转数与所述中子单粒子效应翻转截面的比值用于表征中子辐射的累积注量；数据翻转数与时间的关系曲线的线性度用于表征中子辐射的注量稳定性；

步骤1】具体包括以下步骤：

1.1】选取要进行中子辐射标定的多种型号的SRAM存储器；

1.2】选取一种型号的SRAM存储器进行全参数测试，筛选出参数差异性小于5％的样本，将得到的性能指标参数作为参考标准；

1.3】从步骤1.2】筛选出的样本中任意选择多只SRAM存储器进行辐照实验，得到该型号SRAM存储器的电离辐射总剂量失效阈值；

1.4】在步骤1.2】筛选出的剩余样本中任意选择多只SRAM存储器进行中子单粒子效应实验，绘制数据翻转数与中子注量的关系曲线；

1.5】重复执行步骤1.2-1.4】，直至完成全部型号SRAM存储器的数据翻转数与中子注量的关系曲线的绘制。

2.根据权利要求1所述的利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法，其特征在于：步骤1.3】中的辐照实验是在钴源上开展的γ射线辐照实验；辐照前在SRAM存储器的所有逻辑地址中写入初始值，辐照过程中对SRAM存储器加偏置并进行数据回读，当回读数据出现错误时的辐照剂量值为电离辐射总剂量失效阈值；在所写入的初始值中，逻辑“0”和“1”的数量相等。

3.根据权利要求1或2所述的利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法，其特征在于：在步骤1.4】的中子单粒子效应实验中，辐照前在SRAM存储器的所有逻辑地址中写入初始值，辐照过程中对SRAM存储器加偏置并进行数据回读，获得数据翻转数和中子注量的关系；在所写入的初始值中，逻辑“0”和“1”的数量相等。

4.根据权利要求3所述的利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法，其特征在于：步骤1.4】中的反应堆伴生γ总剂量低于步骤1.3】中确定的电离辐射总剂量失效阈值。

5.根据权利要求4所述的利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法，其特征在于：在步骤1.4】的中子单粒子效应实验中，中子辐射的功率恒定。

6.根据权利要求5所述的利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法，其特征在于：步骤1.4】中进行中子单粒子效应实验的SRAM存储器的数量大于或者等于步骤1.3】中进行辐照实验的SRAM存储器的数量。