[发明专利]TiB2 有效
| 申请号： | 201611246668.X | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108251803B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 唐永炳;蒋春磊 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tib base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种TiB2自润滑涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
以钒掺杂TiB2陶瓷为靶材采用磁控溅射工艺在待沉积基材表面沉积钒掺杂的TiB2自润滑涂层，所述磁控溅射工艺条件为：工作气压为0.3～0.5Pa，靶功率为1kW～5kW，负偏压为10-150V；
通过控制所述钒掺杂TiB2陶瓷靶材中钒元素的原子百分比含量，使得在所述TiB2自润滑涂层中，所述钒元素的百分含量为1at.％～30at.％。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在所述采用磁控溅射工艺在待沉积基材表面沉积钒掺杂的TiB2自润滑涂层的步骤之前，还包括对所述待沉积基材进行溶剂清洗处理和/或离子刻蚀清洗处理的步骤。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述离子刻蚀清洗处理的工艺条件为：工作气压为0.5～1.0Pa，离子源工作电流为20～30A，工作电压为50～100V，离子源刻蚀清洗时间为10～30min；工作环境温度为300～500℃。
4.根据权利要求1或3任一所述的制备方法，其特征在于：所述待沉积基材为刀具、模具或零部件。
5.一种耐磨构件，包括构件本体，在所述构件本体表面设有耐磨防护层，其特征在于：按照权利要求1-4任一所述的制备方法沉积的TiB2自润滑涂层。
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