[发明专利]一种热等静压防止焊接部件与包套粘连的方法

权利要求书

1.一种防止焊接部件与包套粘连的热等静压方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

步骤1、涂层沉积

对包套盖表面与铍瓦接触的部分进行陶瓷基涂层沉积；

步骤2、清洗和烘烤除气

对包套盖、侧包套、铍瓦、曲面复合板冷却基座进行清洗和真空烘烤除气；

步骤3、包套组装夹封

将经过步骤2处理的包套盖、侧包套、铍瓦和曲面复合板冷却基座按设计要求进行组装、焊接、检漏和夹封；

步骤4、热等静压焊接

包套组装夹封后,进行热等静压处理，完成铍瓦与曲面复合板冷却基座的热等静压扩散焊；

步骤5、包套去除

机械加工去除包套盖周边与侧包套的焊接点，实现与包套盖的分离。

2.如权利要求1所述的防止焊接部件与包套粘连的热等静压方法，其特征在于：所述步骤1中，对包套盖表面与铍瓦接触的部分进行陶瓷基涂层沉积的具体步骤为：

步骤1.1、对包套盖及镀膜工装进行去油去脂清洗、烘干；

步骤1.2、将包套盖安装到镀膜工装上，露出要沉积涂层的部位，将其余部分遮蔽；

步骤1.3、将包套盖及镀膜工装安装至真空镀膜设备中，实现公转加自转；

步骤1.4、抽真空至真空度优于3×10-3Pa后，开启加热电源进行烘烤除气，直至加热温度达到200℃后，保温至真空镀膜设备真空度优于3×10-3Pa；

步骤1.5、采用霍尔离子源进行氩离子辉光溅射刻蚀清洗，向真空室送入氩气至真空度在0.1-0.5Pa，霍尔离子源放电电压500-1000V，脉冲负偏压1000V，持续15分钟；

步骤1.6、采用反应离子镀镀膜方式及小多弧金属铝靶，向真空室通入氧气至0.5Pa，开启小多弧源，调节靶电流在40-60A之间，并对工件施加脉冲电压200V，占空比15％，直流电压50V，进行反应离子镀沉积氧化铝陶瓷涂层，涂层厚度1微米；

步骤1.7、随炉真空冷却至50℃，完成氧化铝陶瓷涂层的沉积；

步骤1.8、取件并拆除工装。

3.如权利要求1所述的防止焊接部件与包套粘连的热等静压方法，其特征在于：所述步骤1涂层沉积的具体方法为：对包套盖表面与铍瓦接触的部分进行碳基涂层沉积。

4.如权利要求3所述的防止焊接部件与包套粘连的热等静压方法，其特征在于：所述对包套盖表面与铍瓦接触的部分进行碳基涂层沉积的具体步骤为：

步骤1.1、包套盖及镀膜工装去油去脂清洗、烘干；

步骤1.2、包套盖安装与镀膜工装上，露出要沉积涂层的部位，将其余部分遮蔽；

步骤1.3、将包套盖及镀膜工装安装至真空镀膜设备中，实现公转加自转；

步骤1.4、抽真空至真空度优于3×10-3Pa后，开启加热电源进行烘烤除气，直至加热温度达到200℃后，保温至真空镀膜设备真空度优于3×10-3Pa；

步骤1.5、采用霍尔离子源进行氩离子辉光溅射刻蚀清洗，向真空室送入氩气至真空度在0.1-0.5Pa，霍尔离子源放电电压500-1000V，脉冲负偏压1000V，持续15分钟；

步骤1.6、采用磁过滤式阴极弧镀膜方式及石墨靶，向真空室通入氩气至0.1Pa，开启磁过滤式阴极弧源，调节靶电流在40-60A之间，并对工件施加脉冲电压300V，占空比15％，直流电压50V，进行碳基涂层沉积，涂层厚度0.1微米；

步骤1.7、随炉真空冷却至50℃，完成碳基涂层的沉积；

步骤1.8、取件并拆除工装。