[发明专利]图像传感器件及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器件，包括：

衬底，具有正面和背面；

辐射感测区，形成于所述衬底中；

开口，从所述衬底的背面延伸至所述衬底内；

第一金属氧化物膜，包含第一金属，所述第一金属氧化物膜形成于所述开口的内表面上；以及

第二金属氧化物膜，包含第二金属，所述第二金属氧化物膜形成于所述第一金属氧化物膜的上方；

氧化钽(Ta₂O₅)层，形成于所述第二金属氧化物膜的上方；

其中，所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜和所述氧化钽(Ta₂O₅)层共形地并且完全覆盖所述开口的内表面和所述衬底的背面；

其中，所述第一金属的电负性高于所述第二金属的电负性，并且所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜和所述氧化钽(Ta₂O₅)层的电负性随着距离所述衬底的距离增大而依次减小。

2.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，所述第一金属包含铝。

3.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，所述第二金属包含铪。

4.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，所述开口具有大于1.5微米的深度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，每个所述第一金属氧化物膜和所述第二金属氧化物膜的厚度都大于30埃。

6.根据权利要求1所述的图像传感器件，进一步包括位于所述第一金属氧化物膜与所述开口的内表面之间的中间层。

7.根据权利要求6所述的图像传感器件，其中，所述中间层包含SiO₂。

8.根据权利要求6所述的图像传感器件，其中，所述中间层的厚度小于25微米。

9.一种图像传感器件，包括：

衬底，具有正面和背面；

辐射感测区，形成于所述衬底中；

开口，从所述衬底的背面延伸至所述衬底；以及

膜，具有梯度折射率并且共性地和完全地覆盖开口的内表面和衬底的背面；

其中，所述膜包含根据折射率以依次连续和共形堆叠的方式交替布置的至少三层，并且所述至少三层中更接近所述衬底的层具有比所述至少三层中远离所述衬底的层的折射率更低的折射率。

10.根据权利要求9所述的图像传感器件，其中，所述层均为金属氧化物层。

11.根据权利要求10所述的图像传感器件，其中，所述层包含氧化铝层、氧化铪层和氧化钽层，所述氧化铝层比所述氧化铪层和所述氧化钽层更接近所述衬底，并且所述氧化钽层比所述氧化铝层和所述氧化铪层更远离所述衬底。

12.根据权利要求9所述的图像传感器件，其中，所述开口具有大于1.5微米的深度。

13.根据权利要求9所述的图像传感器件，其中，所述多层的每层的厚度都大于30埃。

14.根据权利要求9所述的图像传感器件，其中，所述膜共形地形成于所述衬底的背面的上方。

15.根据权利要求9所述的图像传感器件，进一步包括位于所述膜与所述开口的内表面之间的中间层。