[发明专利]电光器件

权利要求书

1.一种电光器件，其特征在于，包括：

复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；

开关结构层，由生长在所述蓝宝石衬底层上的氮化镓晶体形成；

以及器件主体结构，包括键合于所述硅衬底层上的电光晶体层。

2.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述电光晶体层由钽酸锂晶体制成。

3.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述电光晶体层由铌酸锂晶体制成。

4.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述复合衬底还包括生长在所述蓝宝石衬底层上的硅膜；所述蓝宝石衬底层通过所述硅膜与所述硅衬底层键合。

5.根据权利要求4所述的电光器件，其特征在于，所述硅膜的厚度为1～5μm。

6.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述蓝宝石衬底层的厚度为20μm。

7.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述硅衬底层的厚度为600～1500μm。

8.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述开关结构层包括氮化镓基场效应管。

9.根据权利要求8所述的电光器件，其特征在于，所述氮化镓基场效应管为氮化镓基高电子迁移率晶体管。