[发明专利]一种半导体用涂布机及中心测校方法

说明书

本发明公开了一种半导体用涂布机及中心测校方法，涂布机包括：涂布平台，用于放置标定样品，其中标定样品至少两个位置分别设置可改变标记物；装载设备，用于按照涂布机的预设放片参数将标定样品放置于涂布平台上；标记修改设备，与涂布机的旋转轴距离相对固定，用于在涂布机旋转涂布平台上的标定样品时，对可改变标记物进行修改；检测设备，用于检测所有可改变标记物的被修改位置与标定样品相应边缘之间的距离；计算设备，用于通过各个对应可改变标记物的距离得到涂布机中心的偏移量；校正设备用于当偏移量超过阈值范围时，根据偏移量调整涂布机的预设放片参数。通过上述方式，本发明能够提高半导体用涂布机中心的精确性。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体用涂布机及中心测校方法。

背景技术

在半导体制程中包括在晶圆上形成微米厚度等级的光阻层，通常采取的方式是利用涂布机以旋转离心的方式涂布上去。该方式对涂布机设备的中心要求非常高，一旦中心出现异常，光阻层厚度不均匀，半导体产品需进行返工处理，进而使得生产效率降低。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种半导体用涂布机及中心测校方法，能够提高半导体用涂布机中心的精确性。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种半导体用涂布机，所述涂布机包括：涂布平台，用于放置标定样品，其中所述标定样品至少两个位置分别设置可改变标记物；标记修改设备，与所述涂布机的旋转轴距离相对固定，用于在所述涂布机旋转所述涂布平台上的所述标定样品时，对所述可改变标记物进行修改；检测设备，用于检测所有所述可改变标记物的被修改位置与所述标定样品相应边缘之间的距离；计算设备，用于通过各个对应所述可改变标记物的所述距离得到所述涂布机中心的偏移量。

其中，所述涂布机进一步包括装载设备和校正设备；所述装载设备用于按照所述涂布机的预设放片参数将所述标定样品放置于所述涂布平台上；所述校正设备用于当所述偏移量超过阈值范围时，根据所述偏移量调整所述涂布机的所述预设放片参数。

其中，所述可改变标记物是在所述标定样品径向具有预定长度的笔迹，所述标记修改设备是所述涂布机附带的边缘冲洗工具；所述检测设备检测所有所述可改变标记物的被修改位置与所述标定样品相应边缘之间的距离包括：测量所述笔迹被冲洗后剩下的部分边缘到所述标定样品相应边缘之间的距离。

其中，所述标定样品至少两个位置分别设置可改变标记物包括：所述标定样品的周边每间隔90度±5度设置一个所述可改变标记物。

其中，所述标定样品为圆片，所述可改变标记物的外边缘与所述圆片边缘重合，且所述可改变标记物的个数为四，分别为第一标记、第二标记、第三标记、第四标记，其中所述第一标记和所述第二标记的第一连线与所述第三标记和所述第四标记的第二连线垂直相交于所述圆片的圆心。

其中，所述偏移量包括所述第一连线方向的偏移量和所述第二连线方向的偏移量；被修改后的四个所述可改变标记物的外边缘的中心点与所述圆片边缘的距离分别为第一距离、第二距离、第三距离、第四距离；所述第一连线方向的偏移量为所述第一距离与所述第二距离之差的一半；所述第二连线方向的偏移量为所述第三距离与所述第四距离之差的一半；当所述第一连线方向的偏移量和/或所述第二连线方向的偏移量超过所述阈值范围时，根据所述第一连线方向的偏移量和/或所述第二连线方向的偏移量调整所述预设放片参数。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种半导体用涂布机的中心测校方法，包括：将标定样品放置于所述涂布机的涂布平台上，其中所述标定样品至少两个位置分别设置可改变标记物；利用所述涂布机旋转所述涂布平台上的所述标定样品的同时，利用与所述涂布机的旋转轴距离相对固定的标记修改设备对所述可改变标记物进行修改；测量所有所述可改变标记物的被修改位置与所述标定样品相应边缘之间的距离；通过各个对应所述可改变标记物的所述距离得到所述涂布机中心的偏移量。