[发明专利]一种散热基板及其制备方法和应用以及电子元器件

权利要求书

1.一种散热基板，其特征在于，该散热基板包括：

金属-陶瓷复合板，所述金属-陶瓷复合板为金属层包覆陶瓷体；以及

在所述金属层的外表面上，至少部分区域形成有与所述金属层成为一体的金属氧化层，和未形成所述金属氧化层的焊接区域，用于连结铜基板和承载芯片。

2.根据权利要求1所述的基板，其中，所述金属氧化层通过所述金属层直接进行氧化形成。

3.根据权利要求1或2所述的基板，其中，所述陶瓷体选自SiC陶瓷体或Si陶瓷体；所述金属层为Al金属层、Mg金属层或Ti金属层；所述金属氧化层为氧化铝层、氧化镁层或氧化钛层。

4.根据权利要求1或2所述的基板，所述金属层的厚度为20～500μm；所述金属氧化层的厚度为5～300μm。

5.根据权利要求1或2所述的基板，其中，所述金属氧化层与所述金属层的结合强度按照百格法测定达到4B以上。

6.一种制备权利要求1-5中任意一项所述的散热基板的方法，包括：将金属-陶瓷复合板直接进行金属氧化，其中，所述金属-陶瓷复合板为金属层包覆陶瓷体的复合板材；在金属层的外表面上形成与金属成为一体的金属氧化层；

将所述金属氧化层的至少部分区域进行激光刻蚀，去除所述金属氧化层形成焊接区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属氧化的方法包括化学氧化、阳极氧化或微弧氧化。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述激光刻蚀使用波长为1000～5000nm的红外激光，红外激光的发射能量为20～80kW；优选波长为1064nm。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其中，经过所述金属氧化形成的所述金属氧化层的厚度为5～300μm。

10.一种权利要求1-5中任意一项所述的散热基板在电子元器件中的应用。

11.一种电子元器件，该电子元器件包括：

散热基板，所述散热基板具有未形成金属氧化层的焊接区域；以及

在所述焊接区域的表面上依次层叠地形成的第一焊层、第一铜基板、衬板、第二铜基板、第二焊层和芯片，所述芯片与所述第二铜基板通过导线连接；

所述散热基板为权利要求1-5中任意一项所述的散热基板。