[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201611252529.8 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN107425022B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 野村宏利 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
多个像素,每一个像素包括:
光电转换单元,该光电转换单元通过光电转换光而产生电荷;以及
晶体管,该晶体管读取电平对应于该光电转换单元中产生的电荷的像素信号,
其中,包含在该多个像素中的相差像素以如下的方式构造:该相差像素被分割为多个光电转换结构,从所述光电转换结构绝缘的光屏蔽膜埋设在用于分隔的区域中,并且该光屏蔽膜位于所述相差像素的多个光电转换结构之间。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中该相差像素在用于将该相差像素和其它相邻像素分隔开的区域中进一步埋设该光屏蔽膜而构成。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,在形成该光电转换单元的传感器层上层叠的滤色器层中,对应于该相差像素设置白色滤色器。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中该相差像素包括两个光电转换结构。
5.根据权利要求1所述的成像装置,
其中该相差像素包括四个光电转换结构。
6.根据权利要求1所述的成像装置,还包括电荷检测结构,该电荷检测结构暂时累积从至少一个光电转换结构传输的电荷,并且将电荷转换成电压,其中来自相差检测像素的光电转换结构的电荷被同时传输给电荷检测结构,并且所述电荷被加到所述电荷检测结构中。
7.根据权利要求6所述的成像装置,还包括开关晶体管,在该电荷检测结构中,切换将电荷转换成电压的转换效率。
8.根据权利要求1所述的成像装置,其中将相差检测像素分割为多个光电转换结构的位置根据该相差像素的布置位置进行校正。
9.根据权利要求1所述的成像装置,其中该相差像素全体设置在像素阵列中,在该像素阵列中,该像素设置成阵列形状。
10.根据权利要求1所述的成像装置,其中该光电转换结构是光敏二极管。
11.一种成像装置,包括:
多个像素,每个像素包括:
光电转换结构,该光电转换结构通过光电转换光而产生电荷;以及
晶体管,该晶体管传输电平对应于该光电转换结构中产生的电荷的像素信号,
其中,为该多个像素的至少一部分的相差像素以如下的方式构造:该相差像素被分成多个光电转换结构,并且从所述光电转换结构绝缘的光屏蔽膜埋设在用于将该相差像素的多个光电转换结构彼此分隔开的区域中,
其中,该相差像素被分割成四个光电转换结构,在该四个光电转换结构之中,根据与倾斜方向上设置的一对光电转换结构中产生的电荷对应的该像素信号执行相差检测。
12.一种成像装置,包括:
多个像素,每个像素包括:
光电转换结构,该光电转换结构通过光电转换光而产生电荷;以及
晶体管,该晶体管传输电平对应于该光电转换结构中产生的电荷的像素信号,
其中,为该多个像素的至少一部分的相差像素以如下的方式构造:该相差像素被分成多个光电转换结构,并且从所述光电转换结构绝缘的光屏蔽膜埋设在用于将该相差像素的多个光电转换结构彼此分隔开的区域中,
其中,该相差像素被分割成四个光电转换结构,在该四个光电转换结构之中,根据与垂直方向或水平方向上设置的一对光电转换结构中产生的电荷对应的该像素信号执行相差检测。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的