[发明专利]等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统有效
| 申请号： | 201611253676.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269726B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赵馗;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 方法 装置 及其 射频 系统 | ||
1.一种用于电感耦合型等离子处理装置的等离子体刻蚀方法，包括多个工作周期，每一工作周期包括两个阶段：第一阶段，施加并保持偏置功率(P)与射频功率(P1)；第二阶段，设置偏置功率为零，同时调高射频功率(P2)；
调高射频功率(P2)的功率值，使得在所述第一阶段和所述第二阶段内，射频功率的频率保持不变；并且在每一工作周期内等离子体阻抗保持稳定。
2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，在所述第一阶段，偏置功率的频率保持不变。
3.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述每一工作周期仅包括所述第一阶段与所述第二阶段。
4.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述第一阶段用于刻蚀，所述第二阶段用于沉积钝化层。
5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述第一阶段的等离子体阻抗与所述第二阶段的等离子体阻抗之间的偏差不超过正负15％。
6.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述第一阶段的等离子体阻抗与所述第二阶段的等离子体阻抗之间的偏差不超过正负5％。
7.一种电感耦合型等离子体刻蚀装置的射频源系统，包括：
射频功率发生器，用于产生射频功率，控制等离子体的能量；
偏置功率发生器，用于产生偏置功率，控制等离子体的方向；
控制器，用于控制所述射频功率发生器与所述偏置功率发生器，所述控制器被编程使得它可以执行如权利要求1至6任一项所述的等离子体刻蚀方法。
8.如权利要求7所述的射频源系统，其特征在于，所述等离子体刻蚀装置为电感耦合等离子体刻蚀装置。
9.一种电感耦合型等离子体刻蚀装置，包括如权利要求7或8所述的射频源系统。
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