[发明专利]一种在电感耦合等离子体处理装置内点燃等离子体的方法

权利要求书

1.一种在电感耦合等离子体处理装置内点燃等离子体的方法，所述处理装置包括一处理腔，以及将射频功率施加到所述处理腔内的一射频功率源及一射频偏置功率源，所述射频功率源通过一电感耦合线圈将射频功率耦合到所述处理腔内，所述射频偏置功率源通过一射频匹配网络施加到所述处理腔内部用于支撑基片的基座上，所述射频匹配网络包括两个可变电容，其特征在于：所述方法包括下列步骤：

设置所述射频偏置功率源输出第一射频功率，所述射频功率源输出第二射频功率，调节两可变电容的大小；

监测所述处理腔内等离子体点燃情况，当监测到等离子体点燃时，记录可变电容的大小；

在后续点燃等离子体的步骤中，保持所述可变电容大小不变，所述第二射频功率在所述第一射频功率的辅助下实现等离子体的点燃。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述射频偏置功率源输出的第一射频功率小于50瓦。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述处理腔内的阻抗为负载阻抗，所述两可变电容包括第一可变电容和第二可变电容，分别用于调节负载阻抗的实部和虚部。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述第一可变电容与负载阻抗并联，用于调节负载阻抗的实部，所述第二可变电容与负载阻抗串联，用于调节负载阻抗的虚部。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述第一可变电容的最大电容值为1500PF,所述第二可变电容的最大电容值为500PF。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：调节所述第二电容的位置大于等于80％，调节所述第一电容的位置大于等于60％。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：调节所述第二电容的位置为80％，调节所述第一电容的位置为70％或80％。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述电感耦合线圈为多个单圈线圈组合或者多个半圈线圈组合的结构。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基座上方设置一静电卡盘，所述静电卡盘上方设置一电压测量装置，所述电压测量装置用于测量静电卡盘支撑的基片表面的电压。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：控制所述射频偏置功率源输出第一射频功率，调节两可变电容的大小，使得所述射频偏置功率源在基座表面产生大于200伏的电压。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于：设置所述射频源功率源输出的第二射频功率大于所述射频偏置功率源输出的第一射频功率。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于：设置所述射频源功率源输出的第二射频功率范围为400瓦-550瓦。