[发明专利]焊垫下电路结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611254790.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269776A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张荣麟 | 申请（专利权）人： | 应广科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张一军;赵静 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 元件层 连接层 打线接合 工艺步骤 焊垫 电连接金属 电路结构 电连接 焊垫层 电层 焊球 基板 制造 电路 并用 损害 | ||
1.一种焊垫下电路CUP结构，其特征在于，包含：
一元件层，形成于一基板上，包括多个元件；
至少一金属层，形成于该元件层上；
多个连接层，形成于该金属层与该元件层间，与该至少一金属层间，用以电连接该金属层与该元件层，并用以电连接该至少一金属层；以及
一焊垫层，形成于相对最上方的该连接层上，用以连接一焊球；
其中，该元件层包含一禁止区，该禁止区不包括任何该元件，且该禁止区的范围根据一打线接合的工艺步骤中的至少一参数、该焊电层的厚度、该金属层的厚度、或该连接层的厚度而定义，用以避免该打线接合的工艺步骤损害该多个元件；
其中，该元件包括一接面二极管、一金氧半MOS晶体管或/且一双极晶体管。
2.如权利要求1所述的焊垫下电路结构，其中，该打线接合的工艺步骤中的参数包括焊接时间、焊接压力、焊接功率、焊接温度、与焊接线材。
3.如权利要求2所述的焊垫下电路结构，其中，该禁止区由俯视图视之，为以该CUP结构的由俯视图视之的中心点为中心的一方形或圆形区域。
4.如权利要求1所述的焊垫下电路结构，其中，该焊球由俯视图视之，完全位于该禁止区中。
5.如权利要求1所述的焊垫下电路结构，其中，还包含多个介电层，分别形成于该元件层与该至少一金属层间、该至少一金属层间、以及该多个连接层与该焊垫层间。
6.一种焊垫下电路CUP结构制造方法，其特征在于，包含：
形成一元件层于一基板上，其中该元件层包括多个元件；
形成至少一金属层于该元件层上；
形成多个连接层于该金属层与该元件层间，与该至少一金属层间，用以电连接该金属层与该元件层，并用以电连接该至少一金属层；以及
形成一焊垫层于相对最上方的该连接层上，用以连接一焊球；
其中，该元件层包含一禁止区，该禁止区不包括任何该元件，且该禁止区的范围根据一打线接合的工艺步骤中的至少一参数、该焊电层的厚度、该金属层的厚度、或该连接层的厚度而定义，用以避免该打线接合的工艺步骤损害该多个元件；
其中，该元件包括一接面二极管、一金氧半MOS晶体管或/且一双极晶体管。
7.如权利要求6所述的焊垫下电路结构制造方法，其中，该打线接合的工艺步骤中的参数包括焊接时间、焊接压力、焊接功率、焊接温度、与焊接线材。
8.如权利要求7所述的焊垫下电路结构制造方法，其中，该禁止区由俯视图视之，为以该CUP结构的由俯视图视之的中心点为中心的一方形或圆形区域。
9.如权利要求6所述的焊垫下电路结构制造方法，其中，该焊球由俯视图视之，完全位于该禁止区中。
10.如权利要求6所述的焊垫下电路结构制造方法，其中，还包含：分别形成一介电层于该元件层与该至少一金属层间、该至少一金属层间、以及该多个连接层与该焊垫层间。
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