[发明专利]固态成像装置及其制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括像素阵列部，在该像素阵列部中多个单元像素布置在半导体基板上，其中该多个单元像素的每个包括基于接收的光量产生且累积光电荷的光电转换部和累积该光电荷的第一电荷累积部和第二电荷累积部，所述第一电荷累积部由埋入型MOS电容器形成，并且所述第二电荷累积部由单位面积的电容值大于第一电荷累积部的电容器形成，

其中该第二电荷累积部的第一电极直接连接到该半导体基板，并且其中该第一电极以与该半导体基板晶格匹配的材料形成。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该第二电荷累积部的面对该第一电极的第二电极以金属材料形成，并且该第一电极的上表面和侧表面的至少一部分覆盖有该第二电极。

3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该半导体基板以硅形成，并且该第一电极以多晶硅或多晶硅的化合物形成。

4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该第一电极以该半导体基板上外延生长的材料形成。

5.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该第一电荷累积部和第二电荷累积部累积在曝光期间从该光电转换部溢出的电荷。

6.根据权利要求5所述的固态成像装置，

其中能同时曝光该多个单元像素。

7.一种固态成像装置的制造方法，该固态成像装置包括像素阵列部，在该像素阵列部中多个单元像素布置在半导体基板上，其中该多个单元像素的每个包括基于接收的光量产生且累积光电荷的光电转换部和累积该光电荷的第一电荷累积部和第二电荷累积部，所述第一电荷累积部由埋入型MOS电容器形成，并且所述第二电荷累积部由单位面积的电容值大于第一电荷累积部的电容器形成，该方法包括：

第一工艺，在该半导体基板上形成第一绝缘膜；

第二工艺，在该第一绝缘膜上形成接触孔，以连接该半导体基板和该第二电荷累积部的第一电极；

第三工艺，在该第一绝缘膜上形成该第一电极，并且通过该接触孔将该第一电极连接到该半导体基板，并且其中该第一电极以与该半导体基板晶格匹配的材料形成；

第四工艺，形成第二绝缘膜以覆盖该第一电极的上表面和侧表面；以及

第五工艺，形成该第二电荷累积部的面对该第一电极的第二电极。

8.根据权利要求7所述的固态成像装置的制造方法，其中，在该第五工艺中，该第二电极形成为覆盖该第一电极的该上表面和该侧表面的至少一部分，其间插设有该第二绝缘膜。

9.根据权利要求7所述的固态成像装置的制造方法，其中，在该第三工艺中，用于该第一电极的材料通过外延生长形成。

10.一种电子设备，包括：

固态成像装置，包括像素阵列部，在该像素阵列部中多个单元像素布置在半导体基板上，其中该多个单元像素的每个包括基于接收的光量产生且累积光电荷的光电转换部和累积该光电荷的第一电荷累积部和第二电荷累积部，所述第一电荷累积部由埋入型MOS电容器形成，并且所述第二电荷累积部由单位面积的电容值大于第一电荷累积部的电容器形成，其中该第二电荷累积部的第一电极直接连接到该半导体基板，并且其中该第一电极以与该半导体基板晶格匹配的材料形成；以及

信号处理部，对从该单元像素输出的信号执行信号处理。

11.根据权利要求10所述的电子设备，其中该第二电荷累积部的面对该第一电极的第二电极以金属材料形成，并且该第一电极的上表面和侧表面的至少一部分覆盖有该第二电极。