[发明专利]表膜及其制造方法

说明书

技术领域

本揭露涉及一种表膜及其制造方法。

背景技术

使用极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光辐射所图案化的小尺寸特征是指光刻设备内的任何颗粒污染可对于所制造的集成电路具有显著有害的影响。例如，如果在图案化过程中，颗粒存在于图案化装置上，那么其可造成在衬底上形成所述颗粒的图像。已知使用表膜薄膜(pellicle film)保护图案化装置免于颗粒污染，因而在一些颗粒存在下防止光刻设备性能退化。然而，为了形成EUV辐射足以穿透而不降低光刻设备的性能的表膜薄膜，每一表膜薄膜必须由极薄的薄膜制成。所述极薄的薄膜还需要对于EUV光具有高度的化学稳定性。

发明内容

本揭露的实施例提供一种制造表膜的方法，包含提供支撑衬底；形成氧化物层于支撑衬底上方；形成金属层于氧化物层上方；形成石墨烯层于金属层上方；以及去除支撑衬底与氧化物层的至少一部分。

附图说明

为协助读者达到最佳理解效果，建议在阅读本揭露时同时参考附件图式及其详细文字叙述说明。请注意为遵循业界标准作法，本专利说明书中的图式不一定按照正确的比例绘制。在某些图式中，尺寸可能刻意放大或缩小，以协助读者清楚了解其中的讨论内容。

图1到7是根据本揭露的一些实施例说明各种阶段所制造的表膜的剖面示意图。

图8到13是根据本揭露的一些实施例说明各种阶段所制造的表膜的剖面示意图。

具体实施方式

本揭露提供了数个不同的实施方法或实施例，可用于实现本发明实施例的不同特征。为简化说明起见，本揭露也同时描述了特定零组件与布置的范例。请注意提供这些特定范例的目的仅在于示范，而非予以任何限制。举例来说，在以下说明第一特征如何在第二特征上或上方的叙述中，可能会包含某些实施例，其中第一特征与第二特征为直接接触，而叙述中也可能包含其它不同实施例，其中第一特征与第二特征中间另有其它特征，以致于第一特征与第二特征并不直接接触。此外，本揭露中的各种范例可能使用重复的参考数字和/或文字注记，以使文件更加简单化和明确，这些重复的参考数字与注记不代表不同的实施例与/或布置之间的关联性。

另外，本揭露在使用与空间相关的叙述词汇，如“在...之下”，“低”，“下”，“上方”，“之上”，“下”，“顶”，“底”和类似词汇时，为便于叙述，其用法均在于描述图式中一个元件或特征与另一个(或多个)元件或特征的相对关系。除了图式中所显示的角度方向外，这些空间相对词汇也用来描述所述装置在使用中以及操作时的可能角度和方向。所述装置的角度方向可能不同(旋转90度或其它方位)，而在本揭露所使用的这些空间相关叙述可以同样方式加以解释。

尽管本揭露的广范围所主张的数值范围与参数是约略值，但在特定范例中所阐述的数值尽可能精准。然而，任何数值本质上含有在个别测试测量中得到的标准偏差所必然造成的一些误差。再者，在本文中，“约”通常是指在给定值或范围的10％、5％、1％或0.5％内。或者，“约”是指在所述技艺中具有通常技术者可接受的平均的标准偏差内。在操作/工作范例之外，除非特别指明，否则本文所揭露的所有的数值范围、数量、值、与比例，例如材料的量、时间期间、温度、操作条件、数量的比例、及其类似者应被理解为受到“约”字修饰。据此，除非有相反的指示，本揭露以及所附随的权利要求书所阐述的数值参数是约略数，其可视需要而变化。至少，应根据所报导的有意义的位数数目并且使用通常的进伪技术，解读各个数值参数。本文中，范围可表示为从一端点到另一端点，或是在两个端点之间。除非特别声明，否则本文揭露的所有范围皆包括端点。

本揭露涉及表膜的薄膜堆栈或本揭露所述的表膜及其制造方法。本揭露所述的表膜薄膜是由多层堆栈形成，用于提供对于颗粒污染的势垒，并且使用时，表膜薄膜的周围部分附接到表膜框架(pellicle frame)。在一些实施例中，表膜薄膜为矩形，并且具有矩形外形，具有矩形开口于其中心。一特定应用的使用而选择表膜薄膜的尺寸。例如，表膜薄膜可经设计以保护图案化面积约110mm乘以145mm的网线(reticle)。此表膜薄膜可具有大于所述网线的表膜框架，在中心部分具有至少与所述网线一样大的开口。

本揭露的概念是提供包含石墨烯(graphene)层的表膜薄膜。相较于用于制造表膜薄膜的现有材料，所述石墨烯层具有优选的机械与热性能。特别地，石墨烯层的优点为特性优异，例如杨氏模量(Young's modulus)、最终强度、热传导性、以及放射率等级(emissivity level)。