[发明专利]等离子体系统的腔室

说明书

技术领域

本发明实施例涉及一种等离子体系统的腔室。

背景技术

在制造现今半导体装置时，通过气体的化学反应将薄层沉积在半导体衬底上是主要步骤之一。此沉积过程一般称为化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺。典型的热CVD工艺将反应气体供应到衬底表面，并在所述衬底表面发生热诱导(heat-induced)的化学反应，以制造出所需的层。

另一方面，等离子体增强化学气相沉积(Plasma-enhanced CVD，PECVD)技术则是通过将射频(radio frequency，RF)能量施加到衬底表面附近的反应区，以促进反应气体的激发和/或分解，藉此产生等离子体。等离子体中的物质的高反应性会减少发生化学反应所需的能量，因此，与习知的热CVD工艺相比，PECVD工艺所需的温度较低。高密度等离子体(high density plasma，HDP)CVD技术进一步利用这些优点，以在低真空压力下形成稠密等离子体，使得等离子体物质更容易反应。

发明内容

本发明实施例提供一种等离子体系统的腔室，包括腔室壁、衬底支架以及内衬。腔室壁定义等离子体加工区域。衬底支架经配置以支撑所述等离子体加工区域中的衬底。内衬位在所述等离子体加工区域中并且将所述腔室壁与所述等离子体加工区域分离。

附图说明

图1是根据本发明的一些实施例的等离子体系统的腔室的简化图。

图2是图1的腔室的简化分解图。

图3示出为根据本发明的一些实施例的将内衬安装到等离子体系统的步骤流程图。

图4是根据本发明的一些实施例的图2的腔室的简化俯视图。

图5是根据本发明的一些实施例的沿着图4中的线A-A’的简化剖面图。

图6是根据本发明的一些实施例的沿着图4中的线B-B’的简化剖面图。

图7是根据本发明的一些实施例的第二螺钉的简化图。

图8是根据本发明的一些实施例的内衬的简化剖面图。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施所提供的目标的不同特征的许多不同实施例或实例。以下所描述的构件及位的具体实例是为了以简化的方式传达本发明为目的。当然，这些仅仅为实例而非用以限制。举例来说，于以下描述中，在第二特征上方或在第二特征上形成第一特征可包括第一特征与第二特征形成为直接接触的实施例，且也可包括第一特征与第二特征之间可形成额外特征使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。此外，本发明在各种实例中可使用相同的组件标号和/或字母来指代相同或类似的部件。组件标号的重复使用是为了简单及清楚起见，且并不表示所欲讨论的各个实施例和/或位本身之间的关系。

另外，为了易于描述附图中所示出的一个构件或特征与另一组件或特征的关系，本文中可使用例如“在...下”、“在...下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”及类似术语的空间相对术语。除了附图中所示出的定向之外，所述空间相对术语意欲涵盖组件在使用或操作时的不同定向。设备可被另外定向(旋转90度或在其他定向)，而本文所用的空间相对术语相应地作出解释。

如上述，高射频电源在HDP-CVD系统中诱发电弧，这会造成损坏且在HDP-CVD系统中形成污染物或颗粒。所述污染物或颗粒会导致衬底的缺陷或甚至导致衬底报废。具体来说，电弧可在等离子体电子接地并穿过腔室壁期间损坏等离子体系统的腔室壁(通常为导体)，由此形成导电污染物或颗粒。所述导电污染物或颗粒可能落在衬底上并且可能由于尖端放电(point discharge)而使得电弧发生在导电污染物或颗粒处，进而导致衬底的缺陷或甚至造成衬底报废。

基于上述，本发明实施例提供一种用于等离子体系统的内衬。将内衬安装在等离子体系统的腔室中，以将腔室的腔室壁与等离子体加工区域分离，以防止电弧所造成的损坏。