[发明专利]纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201611255799.4 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106601790A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;姜丽娟;冯春;王权;肖红领;王翠梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/207;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纵向 调制 掺杂 氮化 场效应 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构，包括一衬底，其特征在于，包括在所述衬底上依次生长的成核层、第一有意掺杂层、第一非有意掺杂层、第二有意掺杂层、第二非有意掺杂层、非有意掺杂高迁移率层、非有意掺杂氮化铝插入层、非有意掺杂铝镓氮势垒层和非有意掺杂氮化镓盖帽层。
2.根据权利要求1所述的纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构，其特征在于，所述成核层为氮化镓、氮化铝和铝镓氮中的一种。
3.根据权利要求1所述的纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构，其特征在于，所述第一有意掺杂层的材料为AlxGal-xN，其中0≤x≤0.20，掺入杂质为Fe或C。
4.根据权利要求2所述的纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构，其特征在于，第一非有意掺杂层的材料为AlvGal-yN，其中y＝x。
5.根据权利要求2所述的纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构，其特征在于，所述第二有意掺杂层的材料为AlzGal-zN，其中z＝x，掺入杂质为Fe或C。
6.根据权利要求2所述的纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构，其特征在于，所述第二非有意掺杂层的材料为AltGal-tN，其中t＝x。
7.根据权利要求1所述的纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构，其特征在于，非有意掺杂高迁移率层为氮化镓材料。
8.根据权利要求1所述的纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构，其特征在于，衬底为碳化硅衬底或蓝宝石衬底或硅衬底或氮化镓衬底。
9.一种纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在衬底上生长一层成核层；
S2：在成核层上依次生长第一有意掺杂层和第一非有意掺杂层；
S3：在第一非有意掺杂层上依次生长第二有意掺杂层和第二非有意掺杂层；
S4：在第二非有意掺杂层上生长非有意掺杂高迁移率层；
S5：在非有意掺杂高迁移率层上生长非有意掺杂氮化铝插入层；
S6：在非有意掺杂氮化铝插入层上依次生长非有意掺杂铝镓氮势垒层，和非有意掺杂氮化镓盖帽层。
10.根据权利要求9所述的晶体管结构制作方法，其特征在于，步骤S1～S6所述的生长方法包括金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或气相外延。
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