[发明专利]液晶显示装置有效
申请号: | 201611255861.X | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN108020965B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 林宗训;金度延;李泰林;李盛远;金宣润 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
一种液晶显示装置包括:第一基板;位于所述第一基板上的薄膜晶体管;位于所述薄膜晶体管上的第一钝化层;位于所述第一钝化层上的第一电极;位于所述第一电极上的第二钝化层;位于所述第二钝化层上的由氧化物半导体形成的第二电极;和位于所述第二电极上的取向层,其中所述第二电极包括多个第一部分和多个第二部分,所述第二部分具有导体特性。
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年10月31日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2016-0143759的优先权和权益,在此援引该专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本公开内容涉及一种液晶显示装置,尤其涉及一种能够有效改善光泄漏和残像的液晶显示装置。
背景技术
一般来说,液晶显示(LCD)装置基于液晶的光学各向异性和偏振特性进行驱动。液晶分子具有细长形状,并且液晶分子沿取向方向规则排列。液晶分子的取向取决于施加至液晶分子的电场的强度或方向。
通过控制液晶分子的取向,光沿液晶分子的取向而折射,由此显示图像。
因为包括作为开关元件的薄膜晶体管的LCD装置(称为有源矩阵LCD(AM-LCD)装置)具有高分辨率和显示运动图像的出色特性,所以已广泛使用AM-LCD装置。
LCD装置包括彼此分隔并面对的两个基板,并且液晶层夹在两个基板之间。每个基板都包括电极。各个基板的电极彼此面对。通过给每个电极施加电压而在垂直于基板的方向上在电极之间感生垂直电场。被垂直电场驱动的LCD装置具有相对较高的透射率和开口率。
此外,已提出并开发了电极形成在一个基板上的面内切换(IPS)模式LCD装置。
一般来说,IPS模式LCD装置包括:包括薄膜晶体管的阵列基板、包括滤色器的滤色器基板、以及位于阵列基板与滤色器基板之间的液晶层。IPS模式LCD装置利用电场来控制具有介电各向异性的液晶层的光透射率,以显示图像。
阵列基板包括位于通过栅极线和数据线的交叉而限定的每个像素区域中的薄膜晶体管、像素电极和公共电极。薄膜晶体管根据来自栅极线的栅极信号将来自数据线的数据信号提供至像素电极。像素电极通过薄膜晶体管接收数据信号并驱动液晶分子,公共电极接收公共电压作为用于驱动液晶分子的基础。液晶分子根据通过像素电极的数据信号和公共电极的公共电压感生的电场而旋转,并控制光透射率,由此实现灰度级。
近来,已提出了边缘场切换(FFS)模式LCD装置,以提供更好的视角特性。
图1是根据相关技术的FFS模式LCD装置的示意图。
在图1中,FFS模式LCD装置100包括位于一方向上的栅极线43以及与栅极线43交叉以限定出像素区域P的数据线51。
薄膜晶体管Tr设置在像素区域P中并连接至栅极线43和数据线51。薄膜晶体管Tr包括栅极电极45、栅极绝缘层(未示出)、半导体层(未示出)、源极电极55和漏极电极58。
此外,在像素区域P中具有板形状的公共电极60基本遍布包括像素区域P的显示区域而形成。在此,由对应于像素区域P的虚线示出公共电极60。
此外,具有多个开口op的像素电极70形成在像素区域P中。像素电极70与公共电极60交叠。每个开口op具有条形形状。
在FFS模式LCD装置中,电压施加至像素区域P中的公共电极60和像素电极70,以在公共电极60与像素电极70之间感生边缘场。
图2A到2F是在制造FFS模式LCD装置的步骤中FFS模式LCD装置的示意性剖面图,其对应于图1的线II-II。
在图2A中,在第一基板11上形成公共电极60,并且在公共电极60上形成钝化层80。在钝化层80上形成像素电极层72。
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