[发明专利]间隔件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造间隔件结构的方法，其包含：

接收衬底；

形成第一导电结构以及第二导电结构于所述衬底上方；

形成第一图案化介电层覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构；

形成第二介电层覆盖所述第一图案化介电层以及所述第二导电结构的上表面及侧壁；及

去除放置于所述第一导电结构的上表面以及所述第二导电结构的所述上表面上方的所述第二介电层，其中放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述第一图案化介电层以及所述第二介电层形成第一间隔件结构，放置于所述第二导电结构的所述侧壁上的所述第二介电层形成第二间隔件结构，以及所述第一间隔件结构在宽度上大于所述第二间隔件结构。

2.根据权利要求1所述的用于制造间隔件结构的方法，其中形成所述第一图案化介电层覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构包含：

形成介电层覆盖所述第一导电结构的所述上表面及所述侧壁以及所述第二导电结构的所述上表面及所述侧壁；

以屏蔽层阻挡放置于所述上表面上方的所述介电层以及放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述介电层；

去除所述屏蔽层所暴露的所述介电层以形成所述第一图案化介电层；及

去除所述屏蔽层。

3.根据权利要求1所述的用于制造间隔件结构的方法，其中所述第一导电结构的所述上表面以及所述第二导电结构的所述上表面是以帽盖层覆盖，以及形成所述第一图案化介电层覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构包含：

局部形成介电层覆盖所述第一导电结构的所述侧壁以及所述第二导电结构的所述侧壁；

以屏蔽层阻挡放置于所述第一导电结构的所述上表面上方的所述帽盖层以及放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述介电层；

去除所述屏蔽层所暴露的所述介电层以形成所述第一图案化介电层；以及

去除所述屏蔽层。

4.根据权利要求1所述的用于制造间隔件结构的方法，其中形成所述第一图案化介电层覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构包含：

形成介电层覆盖所述第一导电结构的所述上表面及所述侧壁以及所述第二导电结构的所述上表面及所述侧壁；

去除放置于所述第一导电结构的所述上表面以及所述第二导电结构的所述上表面上方的所述介电层；

以屏蔽层阻挡所述第一导电结构的所述上表面以及放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述介电层；

去除所述屏蔽层所暴露的所述介电层以形成所述第一图案化介电层；及

去除所述屏蔽层。

5.根据权利要求1所述的用于制造间隔件结构的方法，其中所述第一导电结构以及所述第二导电结构包含栅极结构。

6.一种用于制造间隔件结构的方法，其包含：

接收衬底，其中第一栅极结构以及第二栅极结构经放置于所述衬底上方；

形成第一介电层覆盖所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构；

形成屏蔽层以阻挡于所述第一栅极结构上方的所述第一介电层以及暴露出于所述第二栅极结构上方的所述第一介电层；

蚀刻所述屏蔽层所暴露的所述第一介电层，以暴露出所述第二栅极结构；

去除所述屏蔽层；

形成第二介电层覆盖于所述第一栅极结构上方的所述第一介电层以及所述第二栅极结构；及

在没有屏蔽层下，蚀刻于所述第一栅极结构的上表面以及所述第二栅极结构的上表面上方的所述第二介电层。

7.根据权利要求6所述的用于制造间隔件结构的方法，其中所述第一介电层以及所述第二介电层由不同介电材料所形成。

8.一种间隔件结构，其包含：

衬底；

第一导电结构，其在所述衬底上方；

第一间隔件结构，其经放置于所述第一导电结构的侧壁上；

第二导电结构，其在所述衬底上方；及

第二间隔件结构，其经放置于所述第二导电结构的侧壁上，其中所述第一间隔件结构包含比所述第二间隔件结构还多的介电层堆叠在一侧向方向上，以及所述第一间隔件结构在宽度上大于所述第二间隔件结构。

9.根据权利要求8所述的间隔件结构，其中所述第一间隔件结构包含第一介电层以及第二介电层堆叠在所述侧向方向上，以及第二间隔件结构包含所述第二介电层。

10.根据权利要求8所述的间隔件结构，其中所述第一导电结构及所述第二导电结构包含栅极结构。