[发明专利]耐压终端环结构与功率器件

权利要求书

1.一种耐压终端环结构，其特征在于，所述耐压终端环结构包括：

衬底(1)，包括第一表面、第二表面与第三表面，所述第一表面与所述第二表面相对设置，所述第三表面连接设置在所述第一表面和所述第二表面之间，所述第二表面由相互间隔的多个第一部分表面和多个第二部分表面组成；

多个场环(2)，间隔设置在所述衬底(1)内且靠近所述第二表面设置，且各所述场环(2)的远离所述第一表面的表面与所述第一部分表面重合，各所述场环(2)的导电类型与所述衬底(1)的导电类型相反，所述多个场环(2)包括至少一个耐压环(21)与一个截止环(22)，所述截止环(22)设置在各所述耐压环(21)的同一侧且靠近所述第三表面设置；

多个场板(3)，与所述场环(2)一一对应地设置，且各所述场板(3)设置在各所述第一部分表面上，各所述场板(3)均为L型场板，且各所述L型场板包括与所述第一表面平行的平行段(32)以及与所述第一表面垂直的垂直段(31)，所述垂直段(31)与所述场环(2)接触设置，各所述耐压环(21)对应的所述平行段(32)向靠近所述第三表面的方向延伸，所述截止环(22)对应的所述平行段(32)向远离所述第三表面的方向延伸；

介质膜(4)，设置在所述第二部分表面以及部分所述第一部分表面上，且所述介质膜(4)设置在所述第二表面与各所述平行段(32)之间；以及

至少一个附加离子注入区(6)，设置在相邻的所述耐压环(21)和所述截止环(22)之间的所述衬底(1)中，所述附加离子注入区(6)的导电类型与所述衬底(1)的导电类型相反，

其中，所述附加离子注入区(6)不与所述场板(3)接触设置。

2.根据权利要求1所述的耐压终端环结构，其特征在于，一个所述场板(3)为截止场板，所述截止场板与所述截止环(22)对应，所述截止场板在所述第二表面上的投影覆盖各所述附加离子注入区(6)。

3.根据权利要求1所述的耐压终端环结构，其特征在于，所述耐压终端环结构还包括：

钝化膜(5)，设置在所述介质膜(4)的裸露表面上以及各所述平行段(32)的远离对应的所述垂直段(31)的表面上，所述钝化膜(5)用于覆盖所述介质膜(4)与各所述平行段(32)的裸露表面。

4.根据权利要求1所述的耐压终端环结构，其特征在于，所述耐压终端环结构包括多个间隔设置的所述附加离子注入区(6)。

5.根据权利要求1所述的耐压终端环结构，其特征在于，各所述场环(2)与各所述附加离子注入区(6)均为重掺杂区域，且各所述场环(2)的掺杂浓度与各所述附加离子注入区(6)的掺杂浓度均大于所述衬底(1)的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的耐压终端环结构，其特征在于，所述场板(3)包括金属场板和/或多晶硅场板。

7.根据权利要求1所述的耐压终端环结构，其特征在于，所述介质膜(4)包括氧化层。

8.根据权利要求3所述的耐压终端环结构，其特征在于，所述钝化膜(5)的材料包括氮化硅或氮氧化硅。

9.一种功率器件，包括耐压终端环结构，其特征在于，所述耐压终端环结构为权利要求1至8中的任一项所述的耐压终端环结构。