[发明专利]一种芯片及其制造方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及芯片制造技术，尤其涉及一种芯片及其制造方法。

背景技术

芯片是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分，安装在计算机或其他电子设备中的的芯片是已经封装完成的芯片。芯片的封装流程主要包括芯片制造、芯片切割、芯片贴装和芯片互连。

芯片贴装工艺是指将芯片用有机胶和金属焊料粘接在基板上，起到热、电和机械连接的作用。然而，现有芯片贴装工艺中，将芯片贴装到基板之前，如图1所示给芯片10的电极11上涂覆焊料12时，焊料12形状不可控，焊料12易受挤压进而容易与相邻的电极11形成短路。

发明内容

本发明实施例提供一种芯片及其制造方法，以解决现有芯片贴装工艺中，焊料形状不可控且易受挤压进而容易与相邻的电极形成短路的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种芯片的制造方法，该制造方法包括：

提供一超薄芯片，所述超薄芯片的功能面上具有多个电极，在所述超薄芯片的功能面上形成钝化层，所述钝化层具有与所述多个电极分别对应设置的多个第一开口；

在所述钝化层上形成掩膜层，所述掩膜层具有与所述多个第一开口分别对应设置的多个第二开口，所述第二开口大于所述第一开口；

在所述第二开口中形成导电凸点；

去除所述掩膜层。

进一步地，在所述第二开口中形成导电凸点的具体执行过程为：采用电镀工艺在所述第二开口中形成导电凸点。

进一步地，形成掩膜层之前，该制造方法还包括：在所述钝化层上形成导电种子层；以及，去除所述掩膜层之后，还包括：去除暴露的所述导电种子层。

进一步地，所述导电种子层包括依次层叠形成的钛金属层和铜金属层。

进一步地，所述钛金属层的厚度为100nm，所述铜金属层的厚度为300～500nm。

进一步地，所述导电凸点包括依次层叠形成的镍金属层和焊盘，其中，所述焊盘的组成材料包括锡或锡银合金。

进一步地，所述镍金属层的厚度为2～3μm；所述焊盘的厚度为6～15μm。

进一步地，所述超薄芯片包括相对的功能面和非功能面，该制造方法还包括：采用研磨工艺对所述超薄芯片的非功能面进行研磨减薄。

进一步地，该制造方法还包括：切割以形成多个芯片。

第二方面，本发明实施例还提供了一种芯片，该芯片采用上述芯片制造方法进行制造。

本发明实施例中提供一种芯片及其制造方法，在超薄芯片的功能面上形成具有多个第一开口的钝化层，在钝化层上形成具有多个第二开口的掩膜层，再第二开口中形成导电凸点则导电凸点与电极接触，最后去除掩膜层。本发明实施例中，通过设置具有多个第一开口的钝化层和具有多个第二开口的掩膜层，将导电凸点形成在第一开口和第二开口中，实现了精确控制导电凸点的形状；形成导电凸点时，任意相邻两个电极上的导电凸点之间采用掩膜层进行间隔，则形成的导电凸点不易挤压变形而避免了相邻导电凸点之间的短路现象，便于一次性、高精度的成型导电凸点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的芯片示意图；

图2为现有技术提供的第二种芯片示意图；

图3是本发明实施例一提供的芯片制造方法的流程图；

图4A～图4D是本发明实施例一提供的芯片制造工艺的示意图；

图5A～图5B是本发明实施例二提供的导电种子层制造工艺的示意图；

图6是本发明实施例二提供的导电凸点制造工艺的示意图；

图7是本发明实施例二提供的芯片减薄工艺的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。