[发明专利]一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池

权利要求书

1.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面沉积掺杂浆料和激光处理，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；

其中，激光处理包括第一阶段和第二阶段，第一阶段为在背面同时形成开口与掺杂，第二阶段为激光诱导导电溶液形成导电层。

2.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在晶体硅片背面沉积钝化层、背面开口、沉积电极浆料、烧结、背面沉积掺杂浆料和激光处理，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；

其中，激光处理包括第一阶段和第二阶段，第一阶段为在开口处进行掺杂，第二阶段为激光诱导导电溶液形成导电层。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在晶体硅片背面沉积钝化层之前进行对晶体硅片进行预处理；

优选地，所述预处理依次包括制绒、扩散、背刻蚀、去杂质玻璃处理和正面沉积减反射层；

优选地，所述晶体硅片为P型硅片或N型硅片；

优选地，所述正面沉积减反射层中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述减反射层为氮化硅减反射层；

优选地，所述背面沉积钝化层中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述背面沉积钝化层中的钝化层为氧化铝、氮化硅或氧化硅薄膜中任意一种或至少两种的组合。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述背面开口的方式为激光开口或腐蚀开口；

优选地，所述腐蚀开口为溶液和/或浆料腐蚀开口。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积电极浆料包括正面沉积电极浆料和背面沉积电极浆料，

或，

所述沉积电极浆料包括背面沉积电极浆料和正面沉积电极浆料；

优选地，所述沉积电极浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷；

优选地，所述沉积电极浆料中的电极浆料为银浆料。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述背面沉积的掺杂浆料为与晶体硅片掺杂同导电类型的掺杂浆料；

优选地，当晶体硅片为N型硅片时，沉积的掺杂浆料为第五主族任一元素或至少两种元素，优选为磷浆料；

优选地，当晶体硅片P型硅片时，沉积掺杂浆料为第三主族任一元素或者至少两种元素，优选为硼浆料；

优选地，所述背面沉积掺杂浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷。

7.根据权利要求1-6所述的制备方法，其特征在于，所述激光处理第二阶段中激光诱导导电溶液形成导电层为：第一阶段激光处理后继续维持激光，同时在掺杂区域涂覆或沉积导电溶液；

优选地，所述激光处理中第一阶段激光功率为第二阶段激光功率的5倍～20倍；

优选地，所述第一阶段的激光功率为5μJ/cm²～20μJ/cm²；

优选地，所述第二阶段的激光功率为0.5μJ/cm²～2μJ/cm²；

优选地，所述激光处理中第一阶段处理时间为第二阶段处理时间的1.5倍～5倍；

优选地，所述第一阶段的处理时间为2s～10s；

优选地，所述第二阶段的处理时间为0.5s～5s；

优选地，所述导电溶液为电镀液，优选为含铜、镍、银或铝金属离子中任意一种离子或至少两种离子的溶液。

8.一种采用权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的局部掺杂晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述电池包括晶体硅片层(1)以及设于晶体硅片层(1)背面的钝化层(2)，所述钝化层(2)上具有多个开口，所述开口内部填充第一金属导电层(3)，所述晶体硅片层(1)中沿开口向晶体硅片层里掺杂形成与晶体硅片掺杂同类型的掺杂背场(4)，所述第一金属导电层(3)由导电溶液经激光诱导形成。