[发明专利]一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池

权利要求书

1.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在晶体硅片背面沉积钝化层、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；

或，在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；

其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃。

2.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在晶体硅片背面沉积钝化层、背面沉积掺杂浆料、背面开口的同时进行背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；

或，

在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面沉积掺杂浆料、背面开口的同时进行背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；

其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述背面开口的方式为激光开口或腐蚀开口；

优选地，所述腐蚀开口为溶液和/或浆料腐蚀开口；

优选地，所述背面掺杂的掺杂方法为激光诱导、热推进或离子注入中任意一种或至少两种的组合。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述背面开口的同时进行背面掺杂的方法为：使用激光在钝化层上形成开口，同时进行激光掺杂。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述晶体硅片在背面沉积钝化层前进行预处理；

优选地，所述预处理依次包括制绒、扩散、背刻蚀、去杂质玻璃处理和正面沉积减反射层；

优选地，所述晶体硅片为P型硅片或N型硅片；

优选地，所述正面沉积减反射层中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述减反射层为氮化硅减反射层；

优选地，所述背面沉积钝化层中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述背面沉积钝化层中的钝化层为氧化铝、氮化硅或氧化硅薄膜中任意一种或至少两种的组合。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积掺杂浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷；

优选地，所述掺杂浆料为与硅片掺杂同导电类型的掺杂浆料；

优选地，当所述晶体硅片为N型硅片时，沉积掺杂浆料为第五主族任一元素或至少两种元素，优选为磷浆料；

优选地，当所述晶体硅片为P型硅片时，沉积掺杂浆料为第三主族任一元素或者至少两种元素，优选为硼浆料。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积电极浆料包括正面沉积电极浆料和背面沉积电极浆料，

或，

所述沉积电极浆料包括背面沉积电极浆料和正面沉积电极浆料；

优选地，所述沉积电极浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷；

优选地，所述沉积电极浆料中的电极浆料为银浆料；

优选地，所述背面沉积导电层浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷；

优选地，所述背面沉积导电层浆料所用的浆料为铝浆料。