[发明专利]一种正置顶发射QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种正置顶发射QLED器件，包括依次叠层设置的衬底、反射阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及透明阴极，其特征在于，所述量子点发光层采用量子点材料制备而成，所述量子点材料包括至少两个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构；所述量子点结构单元包括2-20层单原子层，或者所述量子点结构单元包含1-10层的晶胞层；其中，所述晶胞层为最小结构单元，每一所述晶胞层内具有相同晶格参数和元素，每一所述量子点结构单元均为所述晶胞层连接而构成的封闭晶胞曲面，相邻所述晶胞层之间的能级宽度具有连续结构或突变结构；每个量子点结构单元的合金组分组成为Cd_xZn_1-xSe_yS_1-y，其中，0x1，0y1；

所述径向方向上能级宽度一致的均一组分结构的合金组分中x和y均为固定值；所述径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构为：

径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，其中，该渐变合金组分结构的合金组分中x自内向外从1单调递减为0，y自内向外从0单调递增为1；或者

径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，其中，该渐变合金组分结构的合金组分中x自内向外从0单调递增为1，y自内向外从1单调递减为0。

2.根据权利要求1所述的正置顶发射QLED器件，其特征在于，还包括在所述反射阳极与空穴传输层之间设置的空穴注入层。

3.根据权利要求1或2所述的正置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。

4.根据权利要求1或2所述的正置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括至少三个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，其中，所述至少三个量子点单元中，位于中心和表面的量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；位于中心和表面的量子点结构单元之间的一个量子点结构单元为均一组分结构。

5.根据权利要求1或2所述的正置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括两种类型的量子点结构单元，其中一种类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，另一种类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，所述两种类型的量子点结构单元沿径向方向依次交替分布，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。

6.根据权利要求1或2所述的正置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的。

7.根据权利要求1或2所述的正置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的。

8.根据权利要求1或2所述的正置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括两种量子点结构单元，其中一种量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，另一种量子点结构单元为均一组分结构，所述量子点材料的内部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；所述量子点材料的外部包括一个或一个以上的均一组分结构的量子点结构单元。