[发明专利]一种合金纳米材料、制备方法及半导体器件

权利要求书

1.一种合金纳米材料，其特征在于，所述合金纳米材料包含N个在径向方向上依次排布的合金纳米结构单元，其中N≥2；

所述合金纳米结构单元包括A1和A2类型，所述A1类型为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；所述A2类型为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构；

所述合金纳米材料中，各合金纳米结构单元的分布为A1类型的合金纳米结构单元和A2类型的合金纳米结构单元交替分布；且相邻的合金纳米结构单元的能级是连续的。

2.根据权利要求1所述的合金纳米材料，其特征在于，所述合金纳米结构单元为全渐变合金组分结构；所述全渐变合金组分结构在组成成分上和能级分布上均连续变化。

3.根据权利要求2所述的合金纳米材料，其特征在于，所述合金纳米结构单元的合金组分为Cd_x0Zn_1-x0Se_y0S_1-y0，其中0≤x0≤1，0≤y0≤1，并且x0和y0不同时为0和不同时为1。

4.根据权利要求3所述的合金纳米材料，其特征在于，A1类型合金纳米结构单元中，C点的合金组分为Cd_x0^CZn_1-x0^CSe_y0^CS_1-y0^C和D点的合金合金组分为Cd_x0^DZn_1-x0^DSe_y0^DS_1-y0^D，其中C点相对于D点更靠近合金纳米材料中心，且C点和D点的组成满足：_x0^C＞_x0^D，_y0^C＞_y0^D。

5.根据权利要求3所述的合金纳米材料，其特征在于，A2类型合金纳米结构单元中，E点的合金组分为Cd_x0^EZn_1-x0^ESe_y0^ES_1-y0^E和F点的合金组分为Cd_x0^FZn_1-x0^FSe_y0^FS_1-y0^F，其中E点相对于F点更靠近合金纳米材料中心，且E点和F点的组成满足：_x0^E＜_x0^F，_y0^E＜_y0^F。

6.根据权利要求1所述的合金纳米材料，其特征在于，所述合金纳米结构单元包含2-20层的单原子层，或者所述合金纳米结构单元包含1-10层的晶胞层。

7.根据权利要求6所述的合金纳米材料，其特征在于，在径向方向上相邻的合金纳米结构单元交界处的两个单原子层之间形成连续合金组分结构，或者在径向方向上相邻的合金纳米结构单元交界处的两个晶胞层之间形成连续合金组分结构。

8.根据权利要求1所述的合金纳米材料，其特征在于，所述合金纳米材料的发光峰波长范围为400纳米至700纳米。

9.根据权利要求1所述的合金纳米材料，其特征在于，所述合金纳米材料的发光峰的半高峰宽为12纳米至80纳米。