[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201611257527.8 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107068733B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 山下侑佑;町田悟;杉山隆英;斋藤顺 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/36;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/872;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;董领逊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOSFET，包括：
漏极电极；
漏极区域，其由第一导电型半导体制成；
漂移区，其由浓度比所述漏极区域低的第一导电型半导体制成；
体区域，其由第二导电型半导体制成；
源极区域，其由所述第一导电型半导体制成；
源极电极，其由金属制成；
栅电极，其经由绝缘膜与在所述源极区域和所述漂移区之间的所述体区域相对；
势垒区域，其形成于所述漂移区和所述体区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成；以及
柱区域，其形成为将所述势垒区域连接至所述源极电极且由浓度比所述势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成，
其中所述柱区域形成为从所述源极电极侧透过所述体区域且到达所述势垒区域，并且
其中，所述柱区域和所述源极电极通过肖特基结相连接。
2.根据权利要求1所述的MOSFET，进一步包括：防电场前进区域，其形成于所述势垒区域和所述漂移区之间且由所述第二导电型半导体制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611257527.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳化硅半导体器件
- 下一篇：不对称半导体装置及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
