[发明专利]一种碱金属钨青铜薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201611257611.X | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108265263A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 金平实;辛云川;包山虎;李荣;曹逊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 郑优丽;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钨青铜 碱金属 碱金属玻璃 薄膜 亚化学计量比 氧化钨薄膜 真空环境 制备 退火 非氧化性气氛 热扩散效应 玻璃 表面沉积 高温退火 氧化钨层 直接沉积 | ||
【权利要求书】：
1.一种碱金属钨青铜薄膜制备方法，其特征在于，在含碱金属玻璃表面沉积亚化学计量比的氧化钨薄膜后，于非氧化性气氛或真空环境中在350-750℃退火，得到所述碱金属钨青铜薄膜；所述含碱金属玻璃为包含有Na或/和K的玻璃。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述亚化学计量比的氧化钨薄膜的化学式为WO3-x，其中0＜x＜1。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述亚化学计量比的氧化钨薄膜的厚度大于10 nm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述退火的时间为1～60分钟。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述非氧化性气氛的压强为大气压，所述真空的压强＜1000Pa。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述亚化学计量比的氧化钨薄膜的制备方法为磁控溅射技术、热蒸发沉积技术或等离子沉积技术。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，磁控溅射技术制备亚化学计量比的氧化钨薄膜包括：选用金属钨靶为溅射靶材，采用氩氧混合气作为工作反应气体，其中氧气比例为5%～10%，压力为0.2～2.0Pa之间，溅射时功率为1～3w/cm2。
8.一种根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法制备的碱金属钨青铜薄膜。
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