[发明专利]一种刻蚀非晶硅太阳能电池铝膜的方法在审
| 申请号： | 201611257617.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106601614A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 孙铁囤;张凯胜;吴家宏 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人： | 郑云 |
| 地址： | 213002 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 非晶硅 太阳能电池 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种刻蚀非晶硅太阳能电池铝膜的方法，其特征在于：所述的方法为，
(1)配制刻蚀液
常温下，向去离子水中加入2-氨基咪唑、尿素、水性流平剂和消泡剂，搅拌均匀；
(2)将步骤(1)配制的刻蚀液通过丝网漏印到非晶硅太阳能电池板的铝膜上，丝印后的电池板室温下水平放置后，用清水对铝膜表面充分冲洗，烘干，完成刻蚀。
2.如权利要求1所述的刻蚀非晶硅太阳能电池铝膜的方法，其特征在于：步骤(1)中，2-氨基咪唑在去离子水中的加入量为100～400g/L。
3.如权利要求1所述的刻蚀非晶硅太阳能电池铝膜的方法，其特征在于：步骤(1)中，尿素在去离子水中的加入量为150～300g/L。
4.如权利要求1所述的刻蚀非晶硅太阳能电池铝膜的方法，其特征在于：步骤(1)中，水性流平剂在去离子水中的加入量为18～30g/L。
5.如权利要求1所述的刻蚀非晶硅太阳能电池铝膜的方法，其特征在于：步骤(1)中，消泡剂在去离子水中的加入量为10～15g/L。
6.如权利要求1所述的刻蚀非晶硅太阳能电池铝膜的方法，其特征在于：步骤(2)中，丝印后的电池板室温下水平放置的时间为60～120分钟。
7.如权利要求1所述的刻蚀非晶硅太阳能电池铝膜的方法，其特征在于：步骤(2)中，烘干温度为70℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州亿晶光电科技有限公司，未经常州亿晶光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611257617.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：云母薄膜的制备方法及晶体管
- 下一篇：提高键合强度的退火方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
