[发明专利]一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池

权利要求书

1.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)在晶体硅片背面沉积钝化层；

(2)在钝化层上局部开口；

(3)在局部开口处沉积掺杂浆料；

(4)在背面掺杂；

(5)背面沉积第一金属浆料；

其中，步骤(2)中局部开口尺寸小于步骤(3)中沉积掺杂浆料的尺寸；

步骤(3)所述沉积掺杂浆料中的掺杂浆料为铝元素以及硼浆料；

步骤(5)所述沉积第一金属浆料中的第一金属浆料为铝浆料；

采用此方法制备得到的局部掺杂晶体硅太阳能电池中，所述晶体硅片层(1)中沿开口向晶体硅片层里依次掺杂形成硅铝合金层(4)、铝背场(5)和第二掺杂背场(6)，所述硅铝合金层(4)最高点的高度为3μm～15μm；

步骤(2)中局部开口尺寸为140μm～200μm；步骤(3)沉积掺杂浆料的尺寸为170μm～300μm。

2.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(A)在晶体硅片背面沉积钝化层；

(B)在钝化层上沉积掺杂浆料；

(C)在背面局部开口，同时进行掺杂；

(D)背面沉积第一金属浆料；

其中，步骤(C)中局部开口的尺寸小于步骤(B)中沉积掺杂浆料的尺寸；

步骤(B)所述沉积掺杂浆料中的掺杂浆料为铝元素以及硼浆料；

步骤(D)所述沉积第一金属浆料中的第一金属浆料为铝浆料；

采用此方法制备得到的局部掺杂晶体硅太阳能电池中，所述晶体硅片层(1)中沿开口向晶体硅片层里依次掺杂形成硅铝合金层(4)、铝背场(5)和第二掺杂背场(6)，所述硅铝合金层(4)最高点的高度为3μm～15μm；

步骤(C)中局部开口尺寸为140μm～200μm；步骤(B)沉积掺杂浆料的尺寸为170μm～300μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中局部开口的方式为激光开口或腐蚀开口。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述腐蚀开口为溶液和/或浆料腐蚀开口。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述掺杂方法为激光诱导、热推进或离子注入中任意一种或至少两种的组合。

6.根据权利要求2所述的制备方法，步骤(C)中同时掺杂和局部开口的方法为：使用激光在钝化层上形成开口，同时进行激光掺杂。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(A)所述晶体硅片均独立的为p型硅片。

8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(A)所述背面沉积钝化层中的沉积方法均独立地为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合。

9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(A)所述背面沉积钝化层中的钝化层均独立地为氧化铝、氮化硅或氧化硅薄膜中任意一种或至少两种的组合。

10.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)和步骤(B)所述沉积掺杂浆料中的沉积方法均独立地为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)和步骤(B)所述沉积掺杂浆料中的沉积方法均独立地为丝网印刷。

12.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)和步骤(D)所述背面沉积第一金属浆料中的沉积方法均独立地为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种。