[发明专利]氮化镓基功率二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201611258251.5 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106601825B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/02;H01L21/329 |
| 代理公司： | 11667 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵永刚<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种氮化镓基功率二极管的制作方法，其特征在于，包括：
在重掺杂N型氮化镓衬底上方生长第一轻掺杂N型氮化镓外延层；
在所述第一轻掺杂N型氮化镓外延层上方生长P型氮化镓外延层；
对所述P型氮化镓外延层和所述第一轻掺杂N型氮化镓外延层进行刻蚀，以形成贯穿于所述P型氮化镓外延层的刻蚀图形；
在含有所述刻蚀图形的P型氮化镓外延层上方生长第二轻掺杂N型氮化镓外延层；
制作阳极和阴极，以形成所述氮化镓基功率二极管。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述含有所述刻蚀图形的P型氮化镓外延层上方生长第二轻掺杂N型氮化镓外延层之前，还包括：
在含有所述刻蚀图形的P型氮化镓外延层中，未被刻蚀的P型氮化镓外延层上方生长金属，其中所述金属的生长高度与所述第二轻掺杂N型氮化镓外延层的生长高度持平。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一轻掺杂N型氮化镓外延层上方生长P型氮化镓外延层包括：
利用金属有机化合物化学气相沉积法、分子束外延法或者氢化物气相外延法在所述第一轻掺杂N型氮化镓外延层上方生长所述P型氮化镓外延层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型氮化镓外延层的厚度小于所述第一轻掺杂N型氮化镓外延层的厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作阳极和阴极包括：
在所述第二轻掺杂N型氮化镓外延层上方沉积接触金属作为所述氮化镓基功率二极管的阳极；
在所述重掺杂N型氮化镓衬底下方沉积接触金属作为所述氮化镓基功率二极管的阴极。
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