[发明专利]一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池

权利要求书

1.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：

(1)将晶体硅片依次进行预处理、背面沉积钝化层和背面局部开口；

(2)在经步骤(1)处理后的晶体硅片的背面局部开口处沉积掺杂介质，所述掺杂介质中包括铝元素以及在硅中固溶度大于铝的至少一种第三主族元素；

(3)将步骤(2)中沉积掺杂介质后的晶体硅片依次经背面沉积第一电极浆料、正面沉积第二电极浆料和烧结处理，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述预处理依次包括制绒、扩散、背抛光、去杂质玻璃处理和正面沉积减反射层；

优选地，步骤(1)中所述晶体硅片为p型硅片；

优选地，所述正面沉积减反射层中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述减反射层为氮化硅减反射层。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述钝化层为氧化铝、氮化硅或氧化硅薄膜中任意一种或至少两种的组合；

优选地，步骤(1)中所述背面沉积钝化层中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述背面局部开口为在背面沉积的钝化层上进行局部开口；

优选地，步骤(1)所述背面局部开口采用激光开槽、化学湿法刻蚀或光刻中任意一种或至少两种的组合；

优选地，步骤(1)所述背部局部开口后还包括背面沉积银浆料处理；

优选地，所述背面沉积银浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述掺杂介质中铝元素与在硅中固溶度大于铝的至少一种第三主族元素的摩尔比为(0.1～30):100；

优选地，步骤(2)中所述掺杂介质中包括硅元素、铝元素以及在硅中固溶度大于铝的至少一种第三主族元素；

优选地，所述硅元素、铝元素以及在硅中固溶度大于铝的至少一种第三主族元素的摩尔比为(0.1～30):(0.1～30):100；

优选地，步骤(2)中所述掺杂介质中包括硅、铝和硼三种元素；

优选地，步骤(2)中所述掺杂介质中硼、硅和铝元素的摩尔比为(1～15):(1～10):100，优选为(10～15):(6～10):100，进一步优选为12:10:100；

优选地，所述硼元素来自于单质硼和/或硼化合物；

优选地，所述硼化合物为硼化硅和/或三氧化二硼；

优选地，硅元素来自于纳米单质硅粉；

优选地，铝元素来自于铝粉颗粒。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述掺杂介质的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷；

优选地，步骤(2)所沉积的掺杂介质将背面局部开口填满；

优选地，步骤(2)所沉积的掺杂介质将背面局部开口填满并与钝化层齐平。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述背面沉积第一电极浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷；

优选地，步骤(3)中所述第一电极浆料为晶体硅太阳能电池中所用铝浆料；

优选地，步骤(3)中所述正面沉积第二电极浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷；

优选地，步骤(3)中所述第二电极浆料为晶体硅太阳能电池中所用银浆料。