[发明专利]复合衬底及其制备方法、半导体器件

权利要求书

1.一种复合衬底的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在硅晶片生长氮化镓层；

将所述氮化镓层与蓝宝石片键合，形成键合体；

将所述硅晶片从所述氮化镓层上剥离。

2.根据权利要求1所述的复合衬底的制作方法，其特征在于，所述生长为氢化物气相外延生长。

3.根据权利要求1所述的符合衬底的制作方法，其特征在于，所述氮化镓层的厚度为10μm-50μm。

4.根据权利要求1所述的复合衬底的制作方法，其特征在于，在所述将所述氮化镓层与蓝宝石片键合的步骤之后，所述复合衬底的制作方法还包括：

将键合体中的所述蓝宝石片减薄。

5.根据权利要求4所述的复合衬底的制作方法，其特征在于，所述减薄为研磨抛光减薄。

6.一种复合衬底，其特征在于，包括：

蓝宝石衬底层；

键合于所述蓝宝石衬底层上的氮化镓层。

7.根据权利要求6所述的复合衬底，其特征在于，所述氮化镓层的厚度为10μm-50μm。

8.根据权利要求6所述的复合衬底，其特征在于，所述蓝宝石衬底层的厚度为430-750um。

9.根据权利要求6或7所述的复合衬底，其特征在于，所述蓝宝石衬底层呈圆形，且所述圆形蓝宝石衬底层的直径大小大于等于2英寸。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求6-9任一项所述的复合衬底。