[发明专利]光储变流器和光储变流器的控制方法在审
申请号: | 201611261258.2 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106787907A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 赵帅央;马刚 | 申请(专利权)人: | 北京天诚同创电气有限公司 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;H02M1/12;H02J3/38 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人: | 彭琼 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变流器 控制 方法 | ||
1.一种光储变流器,包括DC/AC模块,其特征在于,所述DC/AC模块包括:三相逆变电路(110)和滤波电路(120),其中,
所述三相逆变电路(110)包括三个并联的桥臂,所述三个并联的桥臂包括两个分别由两个绝缘栅双极型晶体管IGBT串联构成的桥臂和一个由两个相同的电容串联构成的桥臂,其中,所述由两个IGBT串联构成的桥臂中的每个IGBT反向并联有续流二极管,所述三个并联的桥臂中的每个桥臂的中点分别通过三个对应的所述滤波电路(120)连接至电网的三相交流接线端。
2.根据权利要求1所述的光储变流器,其特征在于,在所述两个分别由两个IGBT串联构成的桥臂中,第一桥臂中的第一IGBT的发射极和第一桥臂中的第二IGBT的集电极连接,第二桥臂中的第三IGBT的发射极和第二桥臂中的第四IGBT的集电极连接;
所述由两个相同的电容串联构成的桥臂中的第一电容的第一端和第二电容的第一端连接;
所述第一IGBT的集电极、所述第三IGBT的集电极和所述第一电容的第二端连接,所述第二IGBT的发射极、所述第四IGBT的发射极和所述第二电容的第二端连接。
3.根据权利要求2所述的光储变流器,其特征在于,所述光储变流器还包括交流控制模块,所述交流控制模块包括交流电流采样电路(190)、交流电压相位采样电路(150)、直流电压采样电路(140)、交流控制器(160)和交流驱动信号输出电路,所述交流控制器(160)分别与所述交流电流采样电路(190)、所述交流电压相位采样电路(150)、所述直流电压采样电路(140)和所述交流驱动信号输出电路连接;
所述交流电流采样电路(190)与所述电网的三相交流接线端连接,用于采集所述滤波电路(120)与所述电网之间的交流电流,并传输至所述交流控制器(160);
所述交流电压相位采样电路(150)与所述电网的三相交流接线端连接,用于采集所述滤波电路(120)和所述电网之间的三相电压的相位,并传输至所述交流控制器(160);
所述直流电压采样电路(140)与所述三相逆变电路(110)中三个并联桥臂的两端连接,用于采集所述三相逆变电路(110)中并联桥臂两端的直流电压,并传输至所述交流控制器(160);
所述交流控制器(160),用于接收所述交流电流、所述三相电压的相位和所述直流电压,以及所述DC/AC模块的参考电压和所述DC/AC模块的参考无功电流,生成所述第一桥臂和所述第二桥臂中IGBT的驱动信号,并向所述交流驱动信号输出电路输出用于驱动所述第一桥臂和所述第二桥臂中IGBT的驱动信号;
所述交流驱动信号输出电路与所述第二IGBT和所述第四IGBT的门极连接,以及经由反相器与所述第一IGBT和所述第三IGBT的门极连接,用于向所述第一IGBT、所述第二IGBT、所述第三IGBT和所述第四IGBT传输驱动信号。
4.根据权利要求1-3任一项所述的光储变流器,其特征在于,所述光储变流器还包括DC/DC模块,所述DC/DC模块的高压侧与所述DC/AC模块的直流侧连接,所述DC/DC模块包括:至少两个储能电感、并联的至少两个双向半桥电路(130)和一个输出滤波电容,其中,
所述至少两个双向半桥电路(130)中每个双向半桥电路(130)由两个IGBT串联构成,所述每个双向半桥电路(130)中每个IGBT反向并联有二极管,所述每个双向半桥电路(130)的中点分别通过一个储能电感连接至与所述每个双向半桥电路(130)对应电源的正极;
所述至少两个双向半桥电路(130)的两端均与所述一个输出滤波电容的两端并联。
5.根据权利要求4所述的光储变流器,其特征在于,所述至少两个双向半桥电路(130)中的每个双向半桥电路(130)包括升压IGBT和降压IGBT,所述升压IGBT的集电极和所述降压IGBT的发射极连接,所述升压IGBT的发射极与所述电源的负极连接。
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